公开(公告)号：CN119644616A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411886792.7

申请日：2024-12-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  黄一诚 ,  首美花 ,  廖清 ,  刘兴鹏 ,  陈赞辉 ,  张法碧 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  李琦 ,  王阳培华 ,  肖功利 ,  傅涛 ,  邓兴 ,  邓艳容

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035

Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种下沉式双层电极铌酸锂电光调制器，包括衬底、氧化层、光波导、过渡层和金属电极；所述衬底位于最下方，所述氧化层位于所述衬底的顶部，所述光波导、过渡层和金属电极均设置在所述氧化层的上方，光波导为X型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，金属电极为双层电极结构，包括一层的行波电极与二层的T型结构电极，可有效降低损耗，提高调制效率。为了减少光吸收损耗，使用0.2um的二氧化硅过渡层分隔金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，下沉式双层电极铌酸锂电光调制器在0.14dB/cm的光吸收损耗下实现了1.52V·cm的半波电压长度积，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。