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公开(公告)号：CN117276319A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311476740.8
申请日：2023-11-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种具有反向倾斜介质槽的功率器件，在有源区增设反向倾斜的介质槽。反向倾斜介质槽阻挡载流子的沿表面向源极运动，载流子只能向漏极外侧向下运动，在有源层底部方向折回向源极运动，形成折叠型耐压路径，显著提高器件的有效横向耐压长度，能解决减小器件表面长度、提高耐压的技术难题；反向倾斜介质槽可以在传统功率器件结构的基础上，结合硅片倾斜深槽刻蚀和介质填充形成，该工艺步骤完全与CMOS/SOI工艺兼容，工艺简单。此外，还在介质槽外形成的反型的掺杂层，可以改善体电场分布，降低介质槽拐角电场集中的现象，特别适合于高耐压功率器件的设计。
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公开(公告)号：CN117525144A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311484567.6
申请日：2023-11-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种具有倾斜嵌入槽的功率器件，在传统的LDMOS器件的漂移区中倾斜嵌入嵌入槽，该嵌入槽的倾斜程度可改变，且其内部既可以填充介质和/或半导体材料。本发明易于工艺制造，能够提高漂移区掺杂浓度，改善电场分布，提高器件的击穿电压，同时降低器件的比导通电阻，可发挥出类似于超级结结构的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117497593A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311460353.5
申请日：2023-11-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种高密度倾斜沟道功率半导体器件，在现有功率半导体器件的沟道区内开设有至少一个倒V形的嵌入槽；嵌入槽纵向贯通沟道区，即嵌入槽的上表面与沟道区的上表面相平，嵌入槽的下表面与沟道区的下表面相平；嵌入槽的整个内侧表面覆有绝缘介质，嵌入槽内填充有栅极介质；填充在嵌入槽内的栅极介质形成嵌入栅，嵌入栅的上表面直接与环表面栅连接，嵌入栅的下表面通过绝缘介质与埋氧层连接。本发明利用倒V形的嵌入栅的倾斜交叉结构提高有效沟道长度以及宽度，降低器件的导通电阻，提高整体导通性能，实现沟道区的三维完全包裹。
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公开(公告)号：CN117276316A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311429491.7
申请日：2023-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种褶皱环栅SOI LDMOS器件，利用环表面栅、埋栅和槽栅共同形成褶皱环栅结构，这样的褶皱环栅结构显著增加了SOI LDMOS器件沟道的有效长度以及宽度，缓解了因沟道长度和宽度的限制所导致的器件的耐压和导通电阻之间的矛盾，在耐压的前提下，有效地降低了器件的导通电阻，提高整体导通性能，同时能够增加电流通量，并提供更好的热传导和散热能力，对于器件性能的改善具有重要意义。此外，该褶皱环栅结构与传统功率集成电路工艺兼容，在一定程度上解决了沟道宽度较小的SOI LDMOS器件在工艺上的挑战，适合SOI智能功率集成电路的发展要求。
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公开(公告)号：CN221304699U
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202322980419.5
申请日：2023-11-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型公开一种高密度倾斜沟道功率半导体器件，在现有功率半导体器件的沟道区内开设有至少一个倒V形的嵌入槽；嵌入槽纵向贯通沟道区，即嵌入槽的上表面与沟道区的上表面相平，嵌入槽的下表面与沟道区的下表面相平；嵌入槽的整个内侧表面覆有绝缘介质，嵌入槽内填充有栅极介质；填充在嵌入槽内的栅极介质形成嵌入栅，嵌入栅的上表面直接与环表面栅连接，嵌入栅的下表面通过绝缘介质与埋氧层连接。本实用新型利用倒V形的嵌入栅的倾斜交叉结构提高有效沟道长度以及宽度，降低器件的导通电阻，提高整体导通性能，实现沟道区的三维完全包裹。
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公开(公告)号：CN221304695U
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202323008157.2
申请日：2023-11-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种具有反向倾斜介质槽的功率器件，在有源区增设反向倾斜的介质槽。反向倾斜介质槽阻挡载流子的沿表面向源极运动，载流子只能向漏极外侧向下运动，在有源层底部方向折回向源极运动，形成折叠型耐压路径，显著提高器件的有效横向耐压长度，能解决减小器件表面长度、提高耐压的技术难题；反向倾斜介质槽可以在传统功率器件结构的基础上，结合硅片倾斜深槽刻蚀和介质填充形成，该工艺步骤完全与CMOS/SOI工艺兼容，工艺简单。此外，还在介质槽外形成的反型的掺杂层，可以改善体电场分布，降低介质槽拐角电场集中的现象，特别适合于高耐压功率器件的设计。
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公开(公告)号：CN221304694U
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202322932736.X
申请日：2023-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本实用新型公开一种褶皱环栅SOI LDMOS器件，利用环表面栅、埋栅和槽栅共同形成褶皱环栅结构，这样的褶皱环栅结构显著增加了SOI LDMOS器件沟道的有效长度以及宽度，缓解了因沟道长度和宽度的限制所导致的器件的耐压和导通电阻之间的矛盾，在耐压的前提下，有效地降低了器件的导通电阻，提高整体导通性能，同时能够增加电流通量，并提供更好的热传导和散热能力，对于器件性能的改善具有重要意义。此外，该褶皱环栅结构与传统功率集成电路工艺兼容，在一定程度上解决了沟道宽度较小的SOI LDMOS器件在工艺上的挑战，适合SOI智能功率集成电路的发展要求。
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