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公开(公告)号：CN114933415A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110687186.2
申请日：2021-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电介质储能材料，特别涉及一种高储能高温稳定性的微晶玻璃介质材料及其制备方法，制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为：x(A4X2Z4Nb10O30)‑y(aP2O5‑bB2O3‑cAl2O3)‑zMmOn；所得的微晶玻璃材料的实测放电储能密度可达7.36J/cm3@1100kV/cm，峰值功率密度可达2282MW/cm3；在400kV/cm的场强下，其场致应变为0，实测放电储能密度1.00‑1.50J/cm3，在25‑100℃的温度区间内实现至少300圈充放电循环，而性能没有劣化；同时玻璃组成中无铅，达到了环保的目的。
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公开(公告)号：CN114230182B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202111536211.3
申请日：2021-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂透明光电铌酸盐玻璃陶瓷材料及制备方法，所述玻璃陶瓷材料中包括具有钨青铜结构的RR′2Nb5O15晶体和具有正交结构的R′Nb2O6晶体（R=Na，K；R′=Ca，Sr，Ba），以及Yb2O3、Tm2O3、Er2O3、Ho2O3、Tb4O7和Eu2O3中的两种或多种稀土氧化物。其中各氧化物比例为：8～15mol%的R2O，20～27mol%的R′O，23～28mol%的 SiO2，3～6mol%的Al2O3，5～9 mol%的B2O3，28～35mol%的Nb2O5,外加占上述氧化物总量0.3～3.1 mol%的混合稀土氧化物。本发明可以解决在宽温度范围内实现多模温度测量的问
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公开(公告)号：CN112490001A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011316705.6
申请日：2020-11-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种片式电容器的制备方法，其中包括预置模块和制备片式电容器单体，预置模块为能将多片电容器单体并联连接且即插即用任意调整电容容量的装置，根据需要将多片电容器单体插入预置模块中构成所述片式电容器，片式电容器单体的制备方法包括了电容器主体介质材料制备、表面电极制备、表面沉积钝化层和制作电接触窗口等步骤。本发明可与半导体芯片微纳加工工艺兼容，适用于各种陶瓷及微晶玻璃电介质材料，所制备的单片式微晶玻璃电容器在预置模块中可实现即插即用的简便化操作，易于实现对电容器的快速维护保养，解决了目前具有独石结构的片式电容器或薄膜电容器制备工艺无法兼容微晶玻璃电介质材料且难于维护保养的问题。
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公开(公告)号：CN119320273A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411474160.X
申请日：2024-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸钡的高储能高熵陶瓷介质材料，所述材料具有以下的化学组成：Ba0.2[(K0.5Na0.5)Bi]x(SrCaMg)(2/3)(0.4‑x)TiO3；x＝0.16‑0.20。本发明通过将在BaTiO3中引入六种A位阳离子(K、Na、Bi、Sr、Ca和Mg)来构建高熵陶瓷，以优化其结构从而提高其储能性能。根据离子特性将引入的离子分为铁电相和非铁电相两组，并使铁电相和非铁电相达到相对平衡。材料具有细窄的电滞回线和高的击穿场强，在保证一定储能效率的前提下大幅提升了储能性能。
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公开(公告)号：CN114230182A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111536211.3
申请日：2021-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂透明光电铌酸盐玻璃陶瓷材料及制备方法，所述玻璃陶瓷材料中包括具有钨青铜结构的RR′2Nb5O15晶体和具有正交结构的R′Nb2O6晶体（R=Na，K；R′=Ca，Sr，Ba），以及Yb2O3、Tm2O3、Er2O3、Ho2O3、Tb4O7和Eu2O3中的两种或多种稀土氧化物。其中各氧化物比例为：8～15mol%的R2O，20～27mol%的R′O，23～28mol%的SiO2，3～6mol%的Al2O3，5～9 mol%的B2O3，28～35mol%的Nb2O5,外加占上述氧化物总量0.3～3.1 mol%的混合稀土氧化物。本发明可以解决在宽温度范围内实现多模温度测量的问题，同时兼具高透光、光学测温和储能性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112490001B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202011316705.6
申请日：2020-11-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种片式电容器的制备方法，其中包括预置模块和制备片式电容器单体，预置模块为能将多片电容器单体并联连接且即插即用任意调整电容容量的装置，根据需要将多片电容器单体插入预置模块中构成所述片式电容器，片式电容器单体的制备方法包括了电容器主体介质材料制备、表面电极制备、表面沉积钝化层和制作电接触窗口等步骤。本发明可与半导体芯片微纳加工工艺兼容，适用于各种陶瓷及微晶玻璃电介质材料，所制备的单片式微晶玻璃电容器在预置模块中可实现即插即用的简便化操作，易于实现对电容器的快速维护保养，解决了目前具有独石结构的片式电容器或薄膜电容器制备工艺无法兼容微晶玻璃电介质材料且难于维护保养的问题。
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公开(公告)号：CN114933415B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202110687186.2
申请日：2021-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电介质储能材料，特别涉及一种高储能高温稳定性的微晶玻璃介质材料及其制备方法，制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为：x(A4X2Z4Nb10O30)‑y(aP2O5‑bB2O3‑cAl2O3)‑zMmOn；所得的微晶玻璃材料的实测放电储能密度可达7.36J/cm3@1100kV/cm，峰值功率密度可达2282MW/cm3；在400kV/cm的场强下，其场致应变为0，实测放电储能密度1.00‑1.50J/cm3，在25‑100℃的温度区间内实现至少300圈充放电循环，而性能没有劣化；同时玻璃组成中无铅，达到了环保的目的。
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公开(公告)号：CN114890676B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110685704.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电介质储能材料，特别涉及一种高介电高储能微晶玻璃介质材料及其制备方法，制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为：x(AXO3)‑y(aSiO2‑bB2O3‑cAl2O3)‑zMmOn；介电常数可在200‑1500范围内调节，直流耐击穿强度范围为0.9‑2.0MV/cm，最高理论储能密度达71.6J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制备；同时玻璃组成中无铅，达到了环保的目的。
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公开(公告)号：CN116253516A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310057777.0
申请日：2023-01-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高储能及高光学透过率的微晶玻璃材料及其制备方法，所述微晶玻璃材料具有四方钨青铜晶相结构或四方钙钛矿晶相结构，其组成分别为：A2O‑A′O‑B2O5‑B′O2‑Al2O3‑SiO2和BaO‑TiO2‑SnO2‑Al2O3‑SiO2，其中A代表K、Na或Ag元素，A′代表Ba或Sr元素，B代表Nb、Ta或P元素，B′代表Ti或Sn元素。本发明在较高的外加电场下，具有较高的电极化值的同时，保持了较低的剩余极化值，且放电时间超短(
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公开(公告)号：CN114890676A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110685704.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电介质储能材料，特别涉及一种高介电高储能微晶玻璃介质材料及其制备方法，制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为：x(AXO3)‑y(aSiO2‑bB2O3‑cAl2O3)‑zMmOn；介电常数可在200‑1500范围内调节，直流耐击穿强度范围为0.9‑2.0MV/cm，最高理论储能密度达71.6J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制备；同时玻璃组成中无铅，达到了环保的目的。
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