公开(公告)号：CN101747038A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910114460.6

申请日：2009-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  刘心宇 ,  邓满姣 ,  唐焕丽

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高性能的K0.5Na0.5NbO3－LiSbO3－BiScO3无铅压电陶瓷，它是在K0.5Na0.5NbO3－LiSbO3中添加BiScO3经传统陶瓷烧结工艺制成，组成通式为(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3－xLiSbO3－yBiScO3，式中x、y表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0＜x≤0.1，0＜y≤0.01。通过选择适当的x、y值及在烧结时，以120℃/h的升温速度到500℃保温2h，再以120℃/h的升温速度到1060～1150℃保温1～9h烧结。烧结后，随炉冷却至室温。得到的无铅压电陶瓷的压电常数d33突破300pC/N，平面机电耦合系数kp可达0.52以上，机械品质因素Qm可达54.00，常温下介电常数εr可达1742，介电损耗(tan θ)低于2.5％。

公开(公告)号：CN101747038B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200910114460.6

申请日：2009-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  刘心宇 ,  邓满姣 ,  唐焕丽

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高性能的K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiScO3无铅压电陶瓷，它是在K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3中添加BiScO3经传统陶瓷烧结工艺制成，组成通式为(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiSbO3-yBiScO3，式中x、y表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0＜x≤0.1，0＜y≤0.01。通过选择适当的x、y值及在烧结时，以120℃/h的升温速度到500℃保温2h，再以120℃/h的升温速度到1060～1150℃保温1～9h烧结。烧结后，随炉冷却至室温。得到的无铅压电陶瓷的压电常数d33突破300pC/N，平面机电耦合系数kp可达0.52以上，机械品质因素Qm可达54.00，常温下介电常数εr可达1742，介电损耗(tanθ)低于2.5％。