公开(公告)号：CN114627317A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210179144.2

申请日：2022-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 彭智勇 ,  吴磊

IPC: G06V10/74 ,  G06V10/764 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82 ,  G06V10/40 ,  G06K9/62 ,  G06N3/04 ,  G06T7/73

Abstract: 本发明涉及深度学习技术领域，尤其涉及一种基于稀疏特征匹配点对的相机相对定向深度学习方法，首先通过匹配点对分类网络将匹配点对分为内点和外点，然后以所有的内点为相机相对位姿参数解算网络的输入，将输入的每对匹配点坐标看作图节点，将输入的所有匹配点对当作图结构数据，使用自注意力机制在图结构上提取匹配点对全局影像关系特征，并通过残差网络进一步提炼影像关系特征，以匹配点对为输入通过自注意力机制在图结构上的全局影像关系特征学习，解决了现有深度学习方法基于像素语义特征来进行相对定向的处理数据量大、模型结构复杂问题。

公开(公告)号：CN107742606A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201711030930.1

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  吴磊 ,  刘洪刚 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  高喜 ,  肖功利 ,  首照宇 ,  傅涛 ,  翟江辉

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al，在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影，刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构，该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层，以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行，使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案，该键合晶圆的结构及其制备方法，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。

公开(公告)号：CN107742606B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201711030930.1

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  吴磊 ,  刘洪刚 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  高喜 ,  肖功利 ,  首照宇 ,  傅涛 ,  翟江辉

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al，在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影，刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构，该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层，以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行，使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案，该键合晶圆的结构及其制备方法，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。

公开(公告)号：CN207441658U

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201721409390.3

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  吴磊 ,  刘洪刚 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  高喜 ,  肖功利 ,  首照宇 ,  傅涛 ,  翟江辉

IPC: H01L21/20

Abstract: 本实用新型公开了一种键合晶圆的结构，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构为包括第一晶圆和第二晶圆，所述第二晶圆位于第一晶圆的上方，所述第一晶圆与第二晶圆之间设置有中间层，所述中间层包括气体通道和三氧化二铝层，所述气体通道设置在三氧化二铝层内，且气体通道横向贯穿三氧化二铝层的技术方案，该键合晶圆的结构，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利