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公开(公告)号：CN105244266B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510703099.6
申请日：2015-10-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于SiC领域，尤其涉及一种SiC晶圆的欧姆接触形成方法。本发明提供的方法包括以下步骤：a)、SiC晶圆表面沉积金属层，得到表面沉积有金属层的SiC晶圆；b)、所述表面沉积有金属层的SiC晶圆进行退火处理，得到形成欧姆接触的SiC晶圆；所述退火处理包括若干个升温阶段、若干个保温阶段和若干个降温阶段，所述退火处理中的至少一个阶段在CO2气氛中进行。本发明提供的方法在沉积有金属层的SiC晶圆进行退火的过程中通入了CO2气体，CO2气体与退火过程中生成的碳单质反应生成CO气体，从而在退火过程中实现了碳单质的有效去除，因此无需额外增加除碳工艺，大大简化了SiC晶圆欧姆接触工艺的处理流程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105244267A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510746482.X
申请日：2015-11-05
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/283 , H01L29/861 , H01L29/40 , H01L29/16
Abstract: 本发明属于PiN器件领域，尤其涉及一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法，该方法包括以下步骤：a)准备碳化硅PiN基体；b)在碳化硅PiN基体的P型SiC外延层表面沉积非晶硅层；c)分别在沉积有非晶硅层的碳化硅PiN基体的SiC衬底表面和非晶硅层表面沉积金属层；d)对沉积有金属层的碳化硅PiN基体进行退火处理，得到形成欧姆接触的碳化硅PiN器件；所述退火处理依次包括第一升温阶段、第一保温阶段、第二升温阶段和第二保温阶段；第一保温阶段和第二保温阶段的温度分别为450～550℃和970～1020℃。本发明提供的方法通过一次退火工艺即可在沉积有金属层的碳化硅PiN基体上形成P型欧姆接触和N型欧姆接触。
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公开(公告)号：CN105244267B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201510746482.X
申请日：2015-11-05
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/283 , H01L29/861 , H01L29/40 , H01L29/16
Abstract: 本发明属于PiN器件领域，尤其涉及一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法，该方法包括以下步骤：a)准备碳化硅PiN基体；b)在碳化硅PiN基体的P型SiC外延层表面沉积非晶硅层；c)分别在沉积有非晶硅层的碳化硅PiN基体的SiC衬底表面和非晶硅层表面沉积金属层；d)对沉积有金属层的碳化硅PiN基体进行退火处理，得到形成欧姆接触的碳化硅PiN器件；所述退火处理依次包括第一升温阶段、第一保温阶段、第二升温阶段和第二保温阶段；第一保温阶段和第二保温阶段的温度分别为450～550℃和970～1020℃。本发明提供的方法通过一次退火工艺即可在沉积有金属层的碳化硅PiN基体上形成P型欧姆接触和N型欧姆接触。
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公开(公告)号：CN105448673A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610003058.0
申请日：2016-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法，包括在碳化硅片的正面制作正面碳膜；在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜；对所述碳化硅片进行高温退火，激活所述碳化硅片中的注入杂质；去除所述正面碳膜和所述背面碳膜；去除所述碳化硅片背面的氧化层；在所述碳化硅片的背面生长背面金属并进行退火，形成欧姆接触。由于在对碳化硅片进行高温退火之前，制作背面碳膜，与碳化硅背面Si-C悬挂键形成C-Si-C键，从而固定Si原子，抑制Si原子的升华，增加碳化硅背面Si原子浓度，使得金属易与碳化硅背面反应形成低阻层化合物，能够避免高温退火激活工艺中在碳化硅器件背面形成高阻的富碳层，使器件背面具有活泼的化学性质，有利于背面欧姆接触的形成。
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公开(公告)号：CN105448673B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201610003058.0
申请日：2016-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法，包括在碳化硅片的正面制作正面碳膜；在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜；对所述碳化硅片进行高温退火，激活所述碳化硅片中的注入杂质；去除所述正面碳膜和所述背面碳膜；去除所述碳化硅片背面的氧化层；在所述碳化硅片的背面生长背面金属并进行退火，形成欧姆接触。由于在对碳化硅片进行高温退火之前，制作背面碳膜，与碳化硅背面Si‑C悬挂键形成C‑Si‑C键，从而固定Si原子，抑制Si原子的升华，增加碳化硅背面Si原子浓度，使得金属易与碳化硅背面反应形成低阻层化合物，能够避免高温退火激活工艺中在碳化硅器件背面形成高阻的富碳层，使器件背面具有活泼的化学性质，有利于背面欧姆接触的形成。
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公开(公告)号：CN105244266A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510703099.6
申请日：2015-10-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于SiC领域，尤其涉及一种SiC晶圆的欧姆接触形成方法。本发明提供的方法包括以下步骤：a)、SiC晶圆表面沉积金属层，得到表面沉积有金属层的SiC晶圆；b)、所述表面沉积有金属层的SiC晶圆进行退火处理，得到形成欧姆接触的SiC晶圆；所述退火处理包括若干个升温阶段、若干个保温阶段和若干个降温阶段，所述退火处理中的至少一个阶段在CO2气氛中进行。本发明提供的方法在沉积有金属层的SiC晶圆进行退火的过程中通入了CO2气体，CO2气体与退火过程中生成的碳单质反应生成CO气体，从而在退火过程中实现了碳单质的有效去除，因此无需额外增加除碳工艺，大大简化了SiC晶圆欧姆接触工艺的处理流程。
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