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公开(公告)号：CN104505339B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410848051.X
申请日：2014-12-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/312 , H01L21/331 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种IGBT深沟槽光刻工艺，属于微电子领域。本发明为解决深沟槽底部图形刻蚀不充分等问题，提供一种IGBT深沟槽光刻工艺，依次包括以下步骤：(1)在衬底表面和深沟槽内涂上有机材料，有机材料不溶于显影液，且能被刻蚀；(2)除去衬底表面的有机材料，使剩余的有机材料填充在深沟槽内；(3)在衬底表面和有机材料表面涂上光刻胶；(4)使光刻胶曝光；(5)用显影液除去位于深沟槽上方的光刻胶；(6)对深沟槽内的有机材料及深沟槽底部的晶圆进行刻蚀；(7)除去衬底表面的光刻胶，完成IGBT深沟槽的光刻。本发明的有益效果是，通过在IGBT深沟槽内预填充一种有机材料可以实现深沟槽底部充分、规则的刻蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106919015A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510985299.5
申请日：2015-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G03F9/00 , H01L23/544
CPC classification number: G03F9/7073 , H01L23/544 , H01L2223/54426
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法，用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层或光刻对准标记不清晰，但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括：在基底层上形成工艺对准层之后，对工艺对准层进行匀光刻胶之前，在工艺对准层上形成二次对准标记的步骤。本发明能够解决现有半导体器件制作工艺由于半导体器件制成结构复杂以致很多层在曝光时标记变得不清晰难以识别的技术问题，能优化具有台阶但难以识别的标记信号，而且实施步骤简单易行。
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公开(公告)号：CN105206557B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201510535381.8
申请日：2015-08-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体；在所述光刻对准标记本体上，形成绝缘层；通过第二次光刻工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成覆盖所述光刻对准标记本体的保护膜，得到所需的光刻对准标记。
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公开(公告)号：CN105206557A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510535381.8
申请日：2015-08-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体；在所述光刻对准标记本体上，形成绝缘层；通过第二次光刻工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成覆盖所述光刻对准标记本体的保护膜，得到所需的光刻对准标记。
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公开(公告)号：CN104505339A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410848051.X
申请日：2014-12-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/312 , H01L21/331 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种IGBT深沟槽光刻工艺，属于微电子领域。本发明为解决深沟槽底部图形刻蚀不充分等问题，提供一种IGBT深沟槽光刻工艺，依次包括以下步骤：(1)在衬底表面和深沟槽内涂上有机材料，有机材料不溶于显影液，且能被刻蚀；(2)除去衬底表面的有机材料，使剩余的有机材料填充在深沟槽内；(3)在衬底表面和有机材料表面涂上光刻胶；(4)使光刻胶曝光；(5)用显影液除去位于深沟槽上方的光刻胶；(6)对深沟槽内的有机材料及深沟槽底部的晶圆进行刻蚀；(7)除去衬底表面的光刻胶，完成IGBT深沟槽的光刻。本发明的有益效果是，通过在IGBT深沟槽内预填充一种有机材料可以实现深沟槽底部充分、规则的刻蚀。
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公开(公告)号：CN106919015B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201510985299.5
申请日：2015-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G03F9/00 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法，用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层或光刻对准标记不清晰，但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括：在基底层上形成工艺对准层之后，对工艺对准层进行匀光刻胶之前，在工艺对准层上形成二次对准标记的步骤。本发明能够解决现有半导体器件制作工艺由于半导体器件制成结构复杂以致很多层在曝光时标记变得不清晰难以识别的技术问题，能优化具有台阶但难以识别的标记信号，而且实施步骤简单易行。
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