公开(公告)号：CN114450433A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080066846.9

申请日：2020-09-29

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 若林雅 ,  泷本政美 ,  野本将史

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/54 ,  H01L21/68

Abstract: 对准装置具备控制部(4)，其在掩模(11)与基板(12)的铅垂方向上的距离比相机(3)的景深前端距离长的情况下，一边使基板(12)进行高速接近移动一边基于基板标记(121)与掩模标记(112)的距离来调整掩模(11)与基板(12)的水平方向上的位置，在掩模(11)与基板(12)的铅垂方向上的距离为相机(3)的景深前端距离以下的情况下，一边使基板(12)比高速接近移动慢地进行接近移动一边基于基板标记(121)与掩模标记(112)的距离来调整掩模(11)与基板(12)的水平方向上的位置。

公开(公告)号：CN111052311A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880058153.8

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  畑中诚 ,  泷本政美 ,  斋藤香织

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

Abstract: 算出与进行退火的处理区域接近的未被照射激光的非处理区域的层叠结构的各构成膜的膜厚计算值，通过处理区域的第二分光谱测量值与根据膜厚计算值而计算的第二分光谱计算值的拟合，算出处理区域的结晶化水平，调整对于下次进行激光退火处理的TFT基板照射的激光的激光能量。