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公开(公告)号：CN111542648A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880085360.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 株式会社ADEKA
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制残膜产生的同时形成尺寸精度优异的微细图案、且对铜系层等金属层的蚀刻有用的组合物。一种组合物，其为含有(A)选自铜离子和铁离子中的至少1种成分0.1～25质量％、(B)氯离子0.1～30质量％、(C)下述通式(1)(R1：单键等、R2和R3：碳原子数1～4的直链或支链状的亚烷基、R4和R5：氢原子等、n：通式(1)所示的化合物的数均分子量达到550～1400的数值)所示的数均分子量为550～1400的化合物0.01～10质量％和水的水溶液，(B)氯离子相对于(A)成分的质量比率为(B)/(A)＝0.5～2。
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公开(公告)号：CN108352318B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201680061536.1
申请日：2016-08-22
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: H01L21/308 , C23F1/18 , H01L21/306 , H05K3/06
Abstract: 本发明的蚀刻液组合物用于含有铜系层的被膜的蚀刻。该蚀刻液组合物由含有如下成分的水溶液形成：(A)选自三价铁离子以及二价铜离子中的至少一种氧化剂0.1～30质量％；(B)氯化氢0.1～20质量％；以及(C)1,3‑二羟基苯0.01～25质量％。另外，本发明的蚀刻方法使用该蚀刻液组合物来对形成于基体上的含有铜系层的被膜进行蚀刻。根据本发明的蚀刻液组合物以及蚀刻方法，稳定性高，难以产生沉淀物，并且可形成具有所期望的尺寸精度的布线图案。
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公开(公告)号：CN109844910A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780064257.5
申请日：2017-10-10
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: H01L21/308 , C23F1/18
Abstract: 提供一种用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，其蚀刻所产生的细线的细化宽度小，细线上部处的1～5μm左右的大小的缺口的发生被抑制，能形成具有期望宽度的细线。一种蚀刻液组合物，其为用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.1～35质量％；(B)羟基烷烃磺酸0.1～20质量％；(C)选自唑系化合物、和结构中具备包含1个以上氮原子且具有3个双键的六元杂环的化合物中的至少1种化合物0.01～1质量％；和，水，所述蚀刻液组合物的25℃下的pH为0.1～4的范围内。
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公开(公告)号：CN105386055B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510670357.5
申请日：2010-07-06
Applicant: 株式会社ADEKA
Abstract: 本发明提供一种含铜材料用蚀刻剂组合物及含铜材料的蚀刻方法，可以形成没有形状不良的微细图案。本发明的含铜材料用蚀刻剂组合物由水溶液构成，该水溶液含有：(A)0.1～15质量％的从铜离子和铁离子中选择的至少一种氧化剂成分；(B)0.1～20质量％的氯化氢；以及(C)0.001～5质量％的用下述通式(1)表示，并且数均分子量为500～1,500的非离子型表面活性剂，在所述通式(1)中，R表示碳原子数为8～18的烷基，X表示环氧乙烷单元与环氧丙烷单元无规聚合或嵌段聚合的聚环氧烷基。R‑O‑X‑H(1)。
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公开(公告)号：CN108352318A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680061536.1
申请日：2016-08-22
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: H01L21/308 , C23F1/18 , H01L21/306 , H05K3/06
CPC classification number: C23F1/18 , H01L21/306 , H01L21/308 , H05K3/06
Abstract: 本发明的蚀刻液组合物用于含有铜系层的被膜的蚀刻。该蚀刻液组合物由含有如下成分的水溶液形成：(A)选自三价铁离子以及二价铜离子中的至少一种氧化剂0.1～30质量％；(B)氯化氢0.1～20质量％；以及(C)1,3-二羟基苯0.01～25质量％。另外，本发明的蚀刻方法使用该蚀刻液组合物来对形成于基体上的含有铜系层的被膜进行蚀刻。根据本发明的蚀刻液组合物以及蚀刻方法，稳定性高，难以产生沉淀物，并且可形成具有所期望的尺寸精度的布线图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101498000A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810107456.2
申请日：2008-11-21
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23F1/18
CPC classification number: C23F1/18
Abstract: 本发明提供一种可以制造防止微细图案的电路配线的形状不良、不产生短路的印刷线路板(或膜)的含铜材料用蚀刻剂组合物。其特征在于，由以(A)选自铜离子及铁离子中的至少一种的氧化剂成分0.1～15质量％、(B)具有1个羟基的二醇醚类化合物0.001～5质量％、(C)将环氧乙烷及环氧丙烷中的至少一种加成到(多元)胺类化合物的活性氢上得到的化合物0.001～5质量％、(D)选自磷酸及磷酸盐中的至少1种的磷酸成分0.1～5质量％、以及(E)选自盐酸及硫酸中的至少一种的无机酸0.1～10质量％为必须成分的水溶液构成。
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公开(公告)号：CN109844910B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201780064257.5
申请日：2017-10-10
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: H01L21/308 , C23F1/18
Abstract: 提供一种用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，其蚀刻所产生的细线的细化宽度小，细线上部处的1～5μm左右的大小的缺口的发生被抑制，能形成具有期望宽度的细线。一种蚀刻液组合物，其为用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.1～35质量％；(B)羟基烷烃磺酸0.1～20质量％；(C)选自唑系化合物、和结构中具备包含1个以上氮原子且具有3个双键的六元杂环的化合物中的至少1种化合物0.01～1质量％；和，水，所述蚀刻液组合物的25℃下的pH为0.1～4的范围内。
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公开(公告)号：CN112135927A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980033210.1
申请日：2019-05-28
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23F1/18 , H01L21/308 , H05K3/06
Abstract: 提供一种组合物，其可抑制残膜的发生且形成直线性高、尺寸精度优异的微细的图案，对铜系层等金属层的蚀刻有用。一种组合物，其为含有如下成分的水溶液：(A)选自铜离子和铁离子中的至少1种成分0.1～25质量％；(B)氯化物离子0.1～30质量％；(C)下述通式(1)(R1为单键等，R2和R3为碳原子数1～4的亚烷基，R4和R5为氢原子等，n为数均分子量成为550～1400的数)所示的、数均分子量550～1400的化合物0.01～10质量％；(D)下述通式(2)(R6为正丁基，R7为碳原子数2～4的亚烷基，m为1～3的整数)所示的化合物0.01～10质量％；和水。
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公开(公告)号：CN101498000B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810107456.2
申请日：2008-11-21
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23F1/18
CPC classification number: C23F1/18
Abstract: 本发明提供一种可以制造防止微细图案的电路配线的形状不良、不产生短路的印刷线路板(或膜)的含铜材料用蚀刻剂组合物。其特征在于，由以(A)选自铜离子及铁离子中的至少一种的氧化剂成分0.1～15质量％、(B)具有1个羟基的二醇醚类化合物0.001～5质量％、(C)将环氧乙烷及环氧丙烷中的至少一种加成到(多元)胺类化合物的活性氢上得到的化合物0.001～5质量％、(D)选自磷酸及磷酸盐中的至少1种的磷酸成分0.1～5质量％、以及(E)选自盐酸及硫酸中的至少一种的无机酸0.1～10质量％为必须成分的水溶液构成。
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公开(公告)号：CN112135927B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201980033210.1
申请日：2019-05-28
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23F1/18 , H01L21/308 , H05K3/06
Abstract: 提供一种组合物和蚀刻方法，其可抑制残膜的发生且形成直线性高、尺寸精度优异的微细的图案，对铜系层等金属层的蚀刻有用。一种组合物，其为含有如下成分的水溶液：(A)选自铜离子和铁离子中的至少1种成分0.1～25质量％；(B)氯化物离子0.1～30质量％；(C)下述通式(1)(R1为单键等，R2和R3为碳原子数1～4的亚烷基，R4和R5为氢原子等，n为数均分子量成为550～1400的数)所示的、数均分子量550～1400的化合物0.01～10质量％；(D)下述通式(2)(R6为正丁基，R7为碳原子数2～4的亚烷基，m为1～3的整数)所示的化合物0.01～10质量％；和水。
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