公开(公告)号：CN116529416A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180077611.4

申请日：2021-11-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西田章浩 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  大江佳毅 ,  满井千瑛

IPC: C23C16/40

Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有铪原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的铪化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在所述基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在300℃以上且小于450℃的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有铪原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基。)

公开(公告)号：CN116457918A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180077618.6

申请日：2021-11-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西田章浩 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  大江佳毅 ,  满井千瑛

IPC: H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有锆原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的锆化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在240℃以上450℃以下的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有锆原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基，但不包括R1和R2两者均为氢原子的锆化合物。)

公开(公告)号：CN115380038A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202180027605.8

申请日：2021-03-31

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  大江佳毅 ,  武田圭介 ,  福岛亮太 ,  满井千瑛 ,  山下敦史

IPC: C07F15/06 ,  C07F7/22 ,  H01L21/285 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供下述通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物、以及将所述化合物用作原料的薄膜的制造方法。(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～5的烷基，R3表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示M所示的原子的价数，其中，R1～R3中的至少一个氢原子被氟原子取代。)

公开(公告)号：CN110799665A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201880043465.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西田章浩 ,  冈田奈奈 ,  大江佳毅

IPC: C23C16/32 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/316 ,  C07F7/28

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种安全性、搬运性以及生产性优异的能用于CVD法的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及用作薄膜形成用原料的新型化合物。为了实现上述目的，本发明是一种含有下述通式(1)所示的化合物的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及在说明书中由通式(2)表示的新型化合物。[式(1)中，X表示卤素原子，R表示碳原子数1～5的伯烷基或仲丁基。]