公开(公告)号：CN114649442A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111553303.2

申请日：2021-12-17

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 藤本贵久 ,  石桥宽隆 ,  小西克典 ,  足立大辅

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种能实现太阳能电池的低成本化和性能降低的抑制的、太阳能电池的制造方法。一种太阳能电池的制造方法，为背面电极型的太阳能电池(1)的制造方法，包含：在半导体基板(11)的背面侧形成第1半导体层材料膜的工序；对第1半导体层材料膜的表面进行氧化而形成第1氧化处理层的工序；形成掩模的工序；使用掩模而形成图案化后的第1半导体层(25)和第1氧化处理层的工序；除去掩模的工序；以及，清洗半导体基板(11)的表面的工序；第1氧化处理在掩模除去工序中保护第1半导体层(25)免受除去掩模的溶液的影响的同时第1氧化处理在清洗工序中被清洗半导体基板(11)的表面的溶液所除去。

公开(公告)号：CN117981092A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280061642.5

申请日：2022-08-23

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 小岛广平 ,  日野将志 ,  石桥宽隆 ,  三岛良太

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H10K30/50 ,  H10K30/87 ,  H10K30/88 ,  H10K39/15

Abstract: 光电转换效率高的本发明的一个方式的太阳能电池具备半导体基板11，以及层叠于上述半导体基板11的、具有第一导电性的第一半导体层14和具有第二导电性的第二半导体层15；上述半导体基板11的至少第一主面的负载面积率10％时的实体体积Vmp为0.003μm3/μm2～0.010μm3/μm2。