公开(公告)号：CN114342087A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062127.X

申请日：2020-09-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  利田祐麻 ,  药师川裕贵 ,  妹尾贤 ,  细川博司 ,  永井昂哉

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: IGBT区域(11)为具有第1区域(11a)以及与第1区域(11a)不同的第2区域(11b)的结构。并且，在FWD区域(12)及IGBT区域(11)的第1区域(11a)中形成有当在第1电极(41)与第2电极(45)之间施加了使FWD元件进行二极管动作的正偏压时、与第2区域(11b)相比更容易抽取从第2电极(45)注入的载流子的载流子抽取部(38、39)。

公开(公告)号：CN119586347A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054249.8

申请日：2023-05-11

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 永井昂哉

IPC: H10D12/00 ,  H10D64/27 ,  H10D62/10

Abstract: 在IGBT中得到IE效应并抑制闩锁。一种绝缘栅型双极晶体管，具有第1有源区域(31)、第2有源区域(32)以及非有源区域(34)，非有源区域配置在第1有源区域与第2有源区域之间并且配置有多个伪沟槽。在第1边界栅极沟槽(14gx1)与第2边界栅极沟槽(14gx2)之间的区域即空穴积蓄区域(36)内，以满足以下条件的方式配置有沟槽间区域：·在非有源区域内配置有多个非接触沟槽间区域；·在非有源区域内配置有至少1个接触沟槽间区域；·在空穴积蓄区域内非接触沟槽间区域彼此不相邻。

公开(公告)号：CN110034185B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201910023830.9

申请日：2019-01-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 永井昂哉

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种能够抑制IGBT在关断时的噪声的同时抑制导通时的回滞现象的技术。本发明的半导体基板具备二极管区域、和紧接着所述二极管区域设置的IGBT区域。所述IGBT区域具备多个第一导电类型的低浓度区，所述多个低浓度区设置在缓冲区与集电极区之间，在平行于所述半导体基板的方向上有间隔地并排排列，并且杂质浓度低于集电极区。所述集电极区具备接触部，所述接触部在相邻的所述低浓度区与所述低浓度区之间与所述缓冲区接触。