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公开(公告)号：CN107251231A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680011373.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 半导体装置具备：半导体基板(10)，具有漂移层(11)；上述漂移层上的基极层(12)和载流子积聚层(13)；集电极层(22)，形成在上述漂移层中的上述基极层侧的相反侧；多个沟槽(14)，将上述基极层及上述载流子积聚层贯通而到达上述漂移层；栅极电极(16)，形成在上述沟槽内的栅极绝缘膜上；发射极区域(17)，形成在上述基极层的表层部，与上述沟槽相接。上述栅极绝缘膜中，形成在上述沟槽中的比峰值位置更靠上述集电极层侧的侧面上的部分的至少一部的厚度大于形成在比上述峰值位置更靠上述沟槽的开口部侧的侧面上的部分的厚度，上述峰值位置是上述载流子积聚层的杂质浓度最高的位置。
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公开(公告)号：CN1207543C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN03122192.0
申请日：2003-04-24
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: G01L19/143 , G01L19/0084 , G01L19/0636 , G01L19/0645
Abstract: 一种压力传感器(S1，S2，S3)包括传感装置(20，220)和膜片(81，201)。膜片(81，201)暴露于流体中，使用传感装置(20，220)检测相对于该流体的压力。膜片(81，201)由这样的材料制成，该材料的利用等式(Cr+3.3Mo+20N)定义的点蚀指数为50或更大，并且包含30%重量或更多的镍，从而阻止膜片(81，201)受第一流体的影响而被腐蚀。
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公开(公告)号：CN1532531A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410030413.0
申请日：2004-03-15
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: G01L19/0092 , G01K7/18 , G01K2205/02 , G01L23/24
Abstract: 本发明涉及一种具有温度传感器的压力传感器装置，所述传感器装置包括：压力传感器；温度传感器；用于放置所述压力传感器以及插头的传感器壳体，所述插头与所述压力传感器及一外部电路电连接；以及安装于所述传感器壳体上并且具有压力输入口的进口，所述压力输入口将所述受测对象引导至所述压力传感器。所述温度传感器包括一对导线以及一个温度传感元件，并且位于所述压力输入口。所述温度传感器的所述导线被焊接到所述插头上，并且受到所述插头的支撑。所述一根导线采用U型结构，并且插入所述压力输入口，同时所述U型导线向内受压，从而使得其上产生一回复力，所述回复力将所述导线以及所述温度传感元件向外推至所述压力输入口的内壁面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107251231B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201680011373.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 半导体装置具备：半导体基板(10)，具有漂移层(11)；上述漂移层上的基极层(12)和载流子积聚层(13)；集电极层(22)，形成在上述漂移层中的上述基极层侧的相反侧；多个沟槽(14)，将上述基极层及上述载流子积聚层贯通而到达上述漂移层；栅极电极(16)，形成在上述沟槽内的栅极绝缘膜上；发射极区域(17)，形成在上述基极层的表层部，与上述沟槽相接。上述栅极绝缘膜中，形成在上述沟槽中的比峰值位置更靠上述集电极层侧的侧面上的部分的至少一部的厚度大于形成在比上述峰值位置更靠上述沟槽的开口部侧的侧面上的部分的厚度，上述峰值位置是上述载流子积聚层的杂质浓度最高的位置。
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公开(公告)号：CN1267710C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200310102515.4
申请日：2003-10-22
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 本发明提供了一种具有温度传感器的压力传感装置，其包括压力传感器、温度传感器、传感器壳体及进口，该传感器壳体容纳着压力传感器和一个用于将压力传感器与外部电路相连的接线针，该进口安装在传感器壳体上并且具有用于将受测对象引到压力传感器上的压力引入口。温度传感器布置在压力引入口中，并且通过一根引线而电连接着接线针。引线和温度传感器被一个设在接线针与引线之间的连接部位支撑着。引线具有一个缓冲件，其设在引线与压力引入口的一部分之间，用于降低温度传感器和引线的振动。
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公开(公告)号：CN1453566A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03122192.0
申请日：2003-04-24
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01L23/24
CPC classification number: G01L19/143 , G01L19/0084 , G01L19/0636 , G01L19/0645
Abstract: 一种压力传感器(S1，S2，S3)包括传感装置(20，220)和膜片(81，201)。膜片(81，201)暴露于流体中，使用传感装置(20，220)检测相对于该流体的压力。膜片(81，201)由这样的材料制成，该材料的利用等式(Cr+3.3Mo+20N)定义的点蚀指数为50或更大，并且包含30％重量或更多的镍，从而阻止膜片(81，201)受第一流体的影响而被腐蚀。
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公开(公告)号：CN1252455C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200410030413.0
申请日：2004-03-15
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: G01L19/0092 , G01K7/18 , G01K2205/02 , G01L23/24
Abstract: 本发明涉及一种具有温度传感器的压力传感器装置，所述传感器装置包括：压力传感器；温度传感器；用于放置所述压力传感器以及插头的传感器壳体，所述插头与所述压力传感器及一外部电路电连接；以及安装于所述传感器壳体上并且具有压力输入口的进口，所述压力输入口将所述受测对象引导至所述压力传感器。所述温度传感器包括一对导线以及一个温度传感元件，并且位于所述压力输入口。所述温度传感器的所述导线被焊接到所述插头上，并且受到所述插头的支撑。所述一根导线采用U型结构，并且插入所述压力输入口，同时所述U型导线向内受压，从而使得其上产生一回复力，所述回复力将所述导线以及所述温度传感元件向外推至所述压力输入口的内壁面。
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公开(公告)号：CN1497245A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310102515.4
申请日：2003-10-22
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 本发明提供了一种具有温度传感器的压力传感装置，其包括压力传感器、温度传感器、传感器壳体及进口，该传感器壳体容纳着压力传感器和一个用于将压力传感器与外部电路相连的接线针，该进口安装在传感器壳体上并且具有用于将受测对象引到压力传感器上的压力引入口。温度传感器布置在压力引入口中，并且通过一根引线而电连接着接线针。引线和温度传感器被一个设在接线针与引线之间的连接部位支撑着。引线具有一个缓冲件，其设在引线与压力引入口的一部分之间，用于降低温度传感器和引线的振动。
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