公开(公告)号：CN117083719A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280023731.0

申请日：2022-03-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上原准市 ,  羽山优介

IPC: H01L29/78

Abstract: 具备：第1导电型的衬底(11)，由碳化硅构成；第1导电型的缓冲层(12)，形成在衬底(11)上；低浓度层(13)，形成在缓冲层(12)上；第1深层(15)及JFET部(14)，形成在低浓度层(13)上；第1导电型的电流分散层(17)，配置在JFET部(14)上，杂质浓度比低浓度层(13)高；第2导电型的第2深层(18)，配置在第1深层(15)上；第2导电型的基极层(21)，配置在电流分散层(17)及第2深层(18)之上；第1导电型的杂质区域(22)，形成在基极层(21)的表层部；以及沟槽栅构造，以将杂质区域(22)及基极层(21)贯通而达到电流分散层(17)的方式形成。并且，使得在JFET部(14)中形成缺陷部(D)。

公开(公告)号：CN114342064A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080060210.3

申请日：2020-03-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上原准市 ,  加藤武宽 ,  三角忠司 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底具有形成有主开关元件构造的有源区域、形成有感测开关元件构造的电流感测区域、以及位于上述有源区域和上述电流感测区域的周围的周边区域。上述半导体衬底是在 方向上具有偏离角的4H－SiC衬底。上述电流感测区域在沿着 方向观察时配置在不存在上述有源区域的范围中。

公开(公告)号：CN116710760A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180090108.2

申请日：2021-12-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上原准市 ,  江口浩次

IPC: G01N21/956

Abstract: 半导体基板的检查装置(1)具备：光源(2)，产生光并将光照射到作为检查对象的基板；透镜(5、6)，捕捉照射到基板并反射的光；检测部(12)，检测由透镜捕捉到的光；以及判定部(16)，基于光源产生的光的强度以及由检测部检测出的光的强度，计算基板对光的反射率，基于该计算出的反射率进行基板的异常判定。