公开(公告)号：CN115668769A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180038394.8

申请日：2021-06-02

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 日野龙之介 ,  池内伸介

IPC: H03H9/17 ,  H10N30/80 ,  H10N30/20 ,  H10N30/853

Abstract: 在膜片部(Mb)设置有沿上下方向贯通的贯通槽(180)。单晶压电体层(130)中的贯通槽(180)的宽度随着向下方而变窄。在单晶压电体层(130)和增强层(160)中，位于下侧的层中的贯通槽(180)的最大宽度，比位于上侧的层中的贯通槽(180)的最小宽度小。

公开(公告)号：CN113424295A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080013806.8

申请日：2020-03-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 日野龙之介 ,  岸勇藏 ,  岸本谕卓

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种能够抑制空隙的产生的接合基板的制造方法。接合基板的制造方法包括：准备具有在中央部设置了凸部的面的一个基板和另一个基板的工序；以及将一个基板的设置了凸部的面作为与另一个基板接合的接合面而将一个基板和另一个基板接合的工序。

公开(公告)号：CN217535470U

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202090000464.1

申请日：2020-03-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 泽村诚 ,  日野龙之介 ,  岸本谕卓

IPC: B81B1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本实用新型提供一种空腔SOI基板，能够抑制平坦性的恶化。空腔SOI基板通过硅氧化膜将具有空腔的第一硅基板与第二硅基板接合，其中，在第二硅基板中，与第一硅基板的所述空腔对置的部分比与第一硅基板接合的部分厚。