公开(公告)号：CN102522430A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201210004802.0

申请日：2008-03-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田耕生 ,  佐藤奈奈绘

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/02 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/66833

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。本发明改进了非易失性存储晶体管的电荷保持特性。用作隧穿绝缘膜的第一绝缘膜、电荷存储层和第二绝缘膜夹在半导体衬底与导电膜之间。电荷存储层由两个硅氮化物膜构成。作为下层的硅氮化物膜通过CVD方法使用NH3作为氮源气体来形成，并且所包含的N-H键的数目大于上层的N-H键的数目。作为上层的第二硅氮化物膜通过CVD方法使用N2作为氮源气体来形成，并且所包含的Si-H键的数目大于下层的Si-H键的数目。

公开(公告)号：CN101647113A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880007858.3

申请日：2008-03-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田耕生 ,  佐藤奈奈绘

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明改进了非易失性存储晶体管的电荷保持特性。用作隧穿绝缘膜的第一绝缘膜、电荷存储层和第二绝缘膜夹在半导体衬底与导电膜之间。电荷存储层由两个硅氮化物膜构成。作为下层的硅氮化物膜通过CVD方法使用NH 3 作为氮源气体来形成，并且所包含的N-H键的数目大于上层的N-H键的数目。作为上层的第二硅氮化物膜通过CVD方法使用N 2 作为氮源气体来形成，并且所包含的Si-H键的数目大于下层的Si-H键的数目。

公开(公告)号：CN102522430B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201210004802.0

申请日：2008-03-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田耕生 ,  佐藤奈奈绘

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/02 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/66833

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。本发明改进了非易失性存储晶体管的电荷保持特性。用作隧穿绝缘膜的第一绝缘膜、电荷存储层和第二绝缘膜夹在半导体衬底与导电膜之间。电荷存储层由两个硅氮化物膜构成。作为下层的硅氮化物膜通过CVD方法使用NH3作为氮源气体来形成，并且所包含的N-H键的数目大于上层的N-H键的数目。作为上层的第二硅氮化物膜通过CVD方法使用N2作为氮源气体来形成，并且所包含的Si-H键的数目大于下层的Si-H键的数目。

公开(公告)号：CN101647113B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880007858.3

申请日：2008-03-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田耕生 ,  佐藤奈奈绘

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明改进了非易失性存储晶体管的电荷保持特性。用作隧穿绝缘膜的第一绝缘膜、电荷存储层和第二绝缘膜夹在半导体衬底与导电膜之间。电荷存储层由两个硅氮化物膜构成。作为下层的硅氮化物膜通过CVD方法使用NH3作为氮源气体来形成，并且所包含的N-H键的数目大于上层的N-H键的数目。作为上层的第二硅氮化物膜通过CVD方法使用N2作为氮源气体来形成，并且所包含的Si-H键的数目大于下层的Si-H键的数目。