公开(公告)号：CN105474354A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480038163.7

申请日：2014-07-03

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  株式会社希克斯 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 今冈功 ,  小林元树 ,  内田英次 ,  八木邦明 ,  河原孝光 ,  八田直记 ,  南章行 ,  坂田丰和 ,  牧野友厚 ,  高木秀树 ,  仓岛优一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。

公开(公告)号：CN105474354B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201480038163.7

申请日：2014-07-03

Applicant: 株式会社希克斯 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 今冈功 ,  小林元树 ,  内田英次 ,  八木邦明 ,  河原孝光 ,  八田直记 ,  南章行 ,  坂田丰和 ,  牧野友厚 ,  高木秀树 ,  仓岛优一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。