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公开(公告)号：CN1267915A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN00104074.X
申请日：2000-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 非易失性半导体存储装置,在填埋STI槽之前,比存储单元部分更大地形成周边电路部分的元件区上端部的鸟嘴氧化膜。具体地讲,在加入鸟嘴的氧化工艺之前,首先形成周边电路部分的STI槽,预先较大地形成周边电路元件区端部的鸟嘴。或者在周边电路部分的STI侧壁上形成氮氧化膜,防止氧化膜腐蚀时的侧壁绝缘膜的膜减少。防止形成非易失性存储器周边电路部分中的寄生晶体管,抑制了待机时的消耗电流。
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