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公开(公告)号：CN102169931A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010275583.0
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括n型和p型半导体层、势垒层以及阱层。所述n型和p型半导体层以及势垒层包含氮化物半导体。势垒层被设置在n型半导体层与p型半导体层之间。阱层被设置在势垒层之间，阱层的带隙能量小于势垒层的带隙能量，阱层包含InGaN。势垒层中的至少一个包括第一层、第二层以及第三层。第二层被设置为比第一层更靠近p型半导体层。第三层被设置为比第二层更靠近p型半导体层。第二层包含AlxGa1-xN(0＜x≤0.05)。第二层的带隙能量大于第一和第三层的带隙能量。第一和第二层的总厚度不大于第三层的厚度。
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公开(公告)号：CN104916748A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410454176.4
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/32
Abstract: 实施方式提供一种结晶缺陷的影响经抑制的高效率的光半导体元件。实施方式的光半导体元件包含第一导电型的第一氮化物半导体层、第二导电型的第二氮化物半导体层、及设置在所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间的活性层。所述光半导体元件具有凹坑，该凹坑在所述活性层中具有始点，且沿从所述始点朝向所述第二氮化物半导体层的第一方向扩展。
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公开(公告)号：CN102790155A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210048487.1
申请日：2012-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：基础层，其形成在含Al的氮化物半导体层上，该含Al的氮化物半导体层形成在硅衬底上，基础层包含GaN；以及功能层，其被设置在基础层上，功能层包括第一半导体层，第一半导体层的杂质浓度高于基础层的杂质浓度，且第一半导体层包含第一导电类型的GaN。含Al的氮化物半导体层包括多层结构体，多层结构体包括第一层和多个第二层，第一层被设置在第二层之间。第一层和第二层包含氮化物半导体。第一层的Al组成比低于第二层的Al组成比。基础层的厚度大于第一层的厚度且小于第一半导体层的厚度。
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公开(公告)号：CN102790147A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210017269.1
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02584 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：层叠基础层和功能层。在AlN缓冲层上形成所述层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成。所述层叠基础层包括交替层叠的AlN基础层和GaN基础层。所述功能层包括低浓度部件和在所述低浓度部件上提供的高浓度部件。在多个GaN基础层中最靠近硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：第一和第二部分，以及在所述第一和所述第二部分之间提供的第三部分。所述第三部分具有不小于5×1018cm-3的Si浓度并且具有比所述第一和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102790155B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210048487.1
申请日：2012-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：基础层，其形成在含Al的氮化物半导体层上，该含Al的氮化物半导体层形成在硅衬底上，基础层包含GaN；以及功能层，其被设置在基础层上，功能层包括第一半导体层，第一半导体层的杂质浓度高于基础层的杂质浓度，且第一半导体层包含第一导电类型的GaN。含Al的氮化物半导体层包括多层结构体，多层结构体包括第一层和多个第二层，第一层被设置在第二层之间。第一层和第二层包含氮化物半导体。第一层的Al组成比低于第二层的Al组成比。基础层的厚度大于第一层的厚度且小于第一半导体层的厚度。
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公开(公告)号：CN102790147B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210017269.1
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02584 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：层叠基础层和功能层。在AlN缓冲层上形成所述层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成。所述层叠基础层包括交替层叠的AlN基础层和GaN基础层。所述功能层包括低浓度部件和在所述低浓度部件上提供的高浓度部件。在多个GaN基础层中最靠近硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：第一和第二部分，以及在所述第一和所述第二部分之间提供的第三部分。所述第三部分具有不小于5×1018cm-3的Si浓度并且具有比所述第一和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。
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公开(公告)号：CN102403201A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110049525.0
申请日：2011-03-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/36 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/7624 , H01L21/76243 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L33/0062
Abstract: 根据一个实施例，公开了一种制造氮化物半导体晶体层的方法。所述方法可包括在硅晶体层上形成具有第一厚度的所述氮化物半导体晶体层。所述硅晶体层被设置在基体上。在形成所述氮化物半导体晶体层之前，所述硅晶体层具有第二厚度。所述第二厚度小于所述第一厚度。所述形成所述氮化物半导体晶体层包括使所述硅晶体层的至少一部分并入到所述氮化物半导体晶体层中以从所述第二厚度减薄所述硅晶体层的厚度。
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公开(公告)号：CN102403201B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110049525.0
申请日：2011-03-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/36 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/7624 , H01L21/76243 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L33/0062
Abstract: 根据一个实施例，公开了一种制造氮化物半导体晶体层的方法。所述方法可包括在硅晶体层上形成具有第一厚度的所述氮化物半导体晶体层。所述硅晶体层被设置在基体上。在形成所述氮化物半导体晶体层之前，所述硅晶体层具有第二厚度。所述第二厚度小于所述第一厚度。所述形成所述氮化物半导体晶体层包括使所述硅晶体层的至少一部分并入到所述氮化物半导体晶体层中以从所述第二厚度减薄所述硅晶体层的厚度。
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公开(公告)号：CN102169931B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010275583.0
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括n型和p型半导体层、势垒层以及阱层。所述n型和p型半导体层以及势垒层包含氮化物半导体。势垒层被设置在n型半导体层与p型半导体层之间。阱层被设置在势垒层之间，阱层的带隙能量小于势垒层的带隙能量，阱层包含InGaN。势垒层中的至少一个包括第一层、第二层以及第三层。第二层被设置为比第一层更靠近p型半导体层。第三层被设置为比第二层更靠近p型半导体层。第二层包含AlxGa1-xN(0＜x≤0.05)。第二层的带隙能量大于第一和第三层的带隙能量。第一和第二层的总厚度不大于第三层的厚度。
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