公开(公告)号：CN102347334A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110205288.2

申请日：2011-07-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 尾崎彻 ,  野口充宏 ,  前川英明 ,  间下浩充 ,  田口尚文 ,  小林和人 ,  向井英史 ,  新田博行

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及半导体存储器件及其制造方法。存储器基元阵列包括沿第一方向设置的存储器串。字线和选择栅极线沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸。所述选择栅极线也沿所述第二方向延伸。所述字线具有沿所述第一方向的第一线宽并被设置为在其间具有第一距离。所述选择栅极线包括：沿所述第一方向的第一互连，所述第一互连具有大于所述第一线宽的第二线宽；以及第二互连，其从所述第一互连的端部延伸，所述第二互连具有与所述第一线宽相同的第三线宽。邻近所述选择栅极线的第一字线被设置为具有距所述第二互连的第二距离，所述第二距离具有的值是所述第一距离的(4N+1)倍(N为大于等于1的整数)。

公开(公告)号：CN104425506A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410074831.3

申请日：2014-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田博行 ,  奥村祐介 ,  说田雄二

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器器件。一种非易失性半导体存储器器件包括：第一和第二存储器块，在第一方向上互相邻近地设置。所述第一和第二存储器块中的每一个都包括多个位线、被设置为在第二方向上延伸的多个字线以及与所述多个字线中的任一个连接的存储器基元。所述第一存储器块包括与存储器基元的一端连接的第一选择栅极线，以及所述第二存储器块包括相同方式的第二选择栅极线。所述第一选择栅极线的一端的端部包括L-形部分，以及所述第二选择栅极线的一端的端部包括直线部分。在所述第一选择栅极的所述L-形部分上设置第一接触。