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公开(公告)号：CN104425506A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410074831.3
申请日：2014-03-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66825 , H01L27/11524
Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器器件。一种非易失性半导体存储器器件包括：第一和第二存储器块，在第一方向上互相邻近地设置。所述第一和第二存储器块中的每一个都包括多个位线、被设置为在第二方向上延伸的多个字线以及与所述多个字线中的任一个连接的存储器基元。所述第一存储器块包括与存储器基元的一端连接的第一选择栅极线，以及所述第二存储器块包括相同方式的第二选择栅极线。所述第一选择栅极线的一端的端部包括L-形部分，以及所述第二选择栅极线的一端的端部包括直线部分。在所述第一选择栅极的所述L-形部分上设置第一接触。
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