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公开(公告)号：CN102194934B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010275570.3
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、晶片、用于制造半导体发光器件的方法和用于制造晶片的方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一层、第二层以及发光部。第一层包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种。第二层包含p型AlGaN。发光部具有单量子阱结构。单量子阱结构包括第一势垒层、第二势垒层以及阱层。第一势垒层被设置在第一层与第二层之间并包含Alx1Ga1-x1-y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)。第二势垒层被设置在第一势垒层与第二层之间并包含Alx2Ga1-x2-y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)。阱层被设置在第一势垒层与第二势垒层之间，包含Alx0Ga1-x0-y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)并被配置为发射近紫外光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102790165B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210017796.2
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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公开(公告)号：CN104465935A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410602442.3
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L33/0075 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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公开(公告)号：CN104465935B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410602442.3
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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公开(公告)号：CN102790165A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210017796.2
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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公开(公告)号：CN102194934A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010275570.3
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、晶片、用于制造半导体发光器件的方法和用于制造晶片的方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一层、第二层以及发光部。第一层包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种。第二层包含p型AlGaN。发光部具有单量子阱结构。单量子阱结构包括第一势垒层、第二势垒层以及阱层。第一势垒层被设置在第一层与第二层之间并包含Alx1Ga1-x1-y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)。第二势垒层被设置在第一势垒层与第二层之间并包含Alx2Ga1-x2-y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)。阱层被设置在第一势垒层与第二势垒层之间，包含Alx0Ga1-x0-y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)并被配置为发射近紫外光。
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