公开(公告)号：CN113437173B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202010944838.1

申请日：2020-09-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤原郁夫 ,  权镐楠 ,  佐佐木启太 ,  铃木和拓 ,  熟田昌己 ,  清水真理子 ,  冈本和晃

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144 ,  G01S17/931 ,  G01S17/894 ,  G01S7/4865

Abstract: 提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。

公开(公告)号：CN118053455A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311073661.2

申请日：2023-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈本和晃 ,  礒胁洋介

IPC: G11B5/02 ,  G11B5/127

Abstract: 提供能够导出适当的控制条件的数据处理装置、磁记录再现装置以及磁记录再现系统。根据实施方式，数据处理装置包括能够取得与磁记录再现装置的控制条件相关的部分数据的接口部、和能够对所述部分数据进行处理的处理部。所述处理部能够基于所述部分数据的特性，利用第1模型对所述部分数据进行处理来导出第1数据。所述第1数据的第1分辨率比所述部分数据的部分分辨率高。所述处理部能够基于所述特性，利用第2模型对所述部分数据进行处理来导出第2数据。所述第2模型与所述第1模型不同，所述第2数据的第2分辨率比所述部分分辨率高。

公开(公告)号：CN118351889A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202310989486.5

申请日：2023-08-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 礒胁洋介 ,  冈本和晃 ,  山田健一郎

IPC: G11B5/187

Abstract: 本发明提供能够进行稳定的记录动作的磁记录装置及磁记录系统。根据实施方式，磁记录装置包括磁记录介质群及磁头群。磁记录介质群包括第1磁记录介质、多个第2磁记录介质、以及多个第3磁记录介质。磁头群包括第1磁头、多个第2磁头、以及多个第3磁头。第1磁头能够通过第1方法向第1磁记录介质记录数据。多个第2磁头能够通过第2方法向多个第2磁记录介质记录数据。多个第3磁头能够通过第2方法向多个第3磁记录介质记录数据。第1磁记录介质在第1方向上设置于多个第2磁记录介质与多个第3磁记录介质之间。通过第1方法记录数据的其它的磁记录介质在第1方向上不与磁记录介质群重叠。

公开(公告)号：CN113437174A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202010944864.4

申请日：2020-09-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤原郁夫 ,  权镐楠 ,  佐佐木启太 ,  铃木和拓 ,  熟田昌己 ,  清水真理子 ,  冈本和晃

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144 ,  G01S17/931 ,  G01S17/894 ,  G01S7/4865

Abstract: 本发明提供能够缩短不灵敏时间的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。光检测器包括第一导电型的第一半导体区域、第一元件、第二元件、绝缘体、第一布线和第二布线。第一元件的第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第一元件的第三半导体区域设置于第二半导体区域之上，与第二半导体区域接触。第二元件的第四半导体区域设置于第一半导体区域之上，具有比第二半导体区域低的第一导电型的杂质浓度。第二元件的第五半导体区域设置于第四半导体区域之上，与第四半导体区域接触。绝缘体设置于第一元件与第二元件之间。第一布线与第三半导体区域电连接。第二布线与第五半导体区域电连接。

公开(公告)号：CN113437173A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202010944838.1

申请日：2020-09-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤原郁夫 ,  权镐楠 ,  佐佐木启太 ,  铃木和拓 ,  熟田昌己 ,  清水真理子 ,  冈本和晃

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144 ,  G01S17/931 ,  G01S17/894 ,  G01S7/4865

Abstract: 提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。