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公开(公告)号：CN102191058B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201010277528.5
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种荧光物质、制造荧光物质的方法、发光器件及发光模块。实施例提供了一种制造氧氮化物荧光物质的方法。在所述方法中将包含In或Ga的化合物用作所述方法的材料。可以使通过所述方法制造的红色荧光物质与半导体发光元件相组合，以便在发光器件或发光模块中使用。
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公开(公告)号：CN103474560A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310394899.5
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , H01L24/29 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。
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公开(公告)号：CN102399557A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110266293.4
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , C09K11/7728 , F21K9/64 , H01L33/502 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种红光发射荧光物质及使用其的光发射器件。特别地，本发明的实施方案提供了由下式(1)所表征的红光发射荧光物质：(M1-xECx)aM1bAlOcNd(1)。在式(1)中，M是选自IA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、IIIB族元素、稀土元素和IVA族元素的元素；EC是选自Eu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi和Fe的元素；M1不同于M并且选自四价元素；并且x、a、b、c和d分别满足条件：0＜x＜0.2、0.55＜a＜0.80、2.10＜b＜3.90、0＜c≤0.25和4＜d＜5。当由在250-500nm波长范围内的光激励时，该物质发射在620-670nm波长范围内具有峰值的光。
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公开(公告)号：CN102104107A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010274434.2
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/50 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L33/44 , H01L33/504 , H01L33/58 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括用于发射第一光的半导体发光元件、安装构件、第一和第二波长转换层以及透明层。所述第一波长转换层被设置在所述元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述半导体发光元件被设置在所述第二波长转换层与所述第一波长转换层之间。所述第二波长转换层吸收所述第一光并发射第三光，所述第三光的波长大于所述第一光的波长。所述透明层被设置在所述元件与所述第二波长转换层之间。所述透明层对所述第一、第二和第三光透明。
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公开(公告)号：CN102104107B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010274434.2
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/50 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L33/44 , H01L33/504 , H01L33/58 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括用于发射第一光的半导体发光元件、安装构件、第一和第二波长转换层以及透明层。所述第一波长转换层被设置在所述元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述半导体发光元件被设置在所述第二波长转换层与所述第一波长转换层之间。所述第二波长转换层吸收所述第一光并发射第三光，所述第三光的波长大于所述第一光的波长。所述透明层被设置在所述元件与所述第二波长转换层之间。所述透明层对所述第一、第二和第三光透明。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102191058A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010277528.5
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种荧光物质、制造荧光物质的方法、发光器件及发光模块。实施例提供了一种制造氧氮化物荧光物质的方法。在所述方法中将包含In或Ga的化合物用作所述方法的材料。可以使通过所述方法制造的红色荧光物质与半导体发光元件相组合，以便在发光器件或发光模块中使用。
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公开(公告)号：CN102104106A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010274406.0
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L24/29 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。
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公开(公告)号：CN103474560B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310394899.5
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , H01L24/29 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。
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公开(公告)号：CN102399557B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110266293.4
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , C09K11/7728 , F21K9/64 , H01L33/502 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种红光发射荧光物质及使用其的光发射器件。特别地，本发明的实施方案提供了由下式(1)所表征的红光发射荧光物质：(M1-xECx)aM1bAlOcNd？？？？？？(1)。在式(1)中，M是选自IA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、IIIB族元素、稀土元素和IVA族元素的元素；EC是选自Eu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi和Fe的元素；M1不同于M并且选自四价元素；并且x、a、b、c和d分别满足条件：0＜x＜0.2、0.55＜a＜0.80、2.10＜b＜3.90、0＜c≤0.25和4＜d＜5。当由在250-500nm波长范围内的光激励时，该物质发射在620-670nm波长范围内具有峰值的光。
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公开(公告)号：CN102104106B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010274406.0
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L24/29 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。
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