公开(公告)号：CN105051868A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201380009099.5

申请日：2013-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  清泽努 ,  若山贵行

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 半导体装置具备第一碳化硅半导体层、设置在第一碳化硅半导体层的p型第一杂质区、以及与第一杂质区形成欧姆接触的第一欧姆电极。第一欧姆电极为含氮的硅合金，第一欧姆电极中含有的氮的平均浓度为第一杂质区中的氮的平均浓度的二分之一以上，第一欧姆电极的、从与第一杂质区之间的界面起50nm的范围以外的部分中的p型杂质的平均浓度为3.0×1018cm-3以下。

公开(公告)号：CN103890953A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050068.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  堀川信之 ,  田中康太郎 ,  清泽努

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/105 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828

Abstract: 在半导体元件(100)中，第2导电型的体区域(103)包括与第1碳化硅半导体层(102)的表面相连的第1体区域(103a)、和与第2导电型的体区域(103)的底面相连的第2体区域(103b)。第1体区域的杂质浓度是第2体区域的杂质浓度的2倍以上。作为沟道层的第1导电型的第2碳化硅半导体层(106)在与半导体基板(101)垂直的方向上具有杂质浓度的分布，与栅极绝缘膜(107)相连的一侧的杂质浓度小于与第1体区域(103a)相连的一侧的杂质浓度。

公开(公告)号：CN104106142A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380008456.6

申请日：2013-01-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 清泽努 ,  工藤千秋 ,  富田祐贵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/049 ,  H01L21/223 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L21/0475

Abstract: 半导体装置的制造方法包括：在基板的主面形成具有第1导电型的第1半导体区域的半导体层的工序；以及在半导体层形成底部位于第1半导体区域内的沟槽的工序。该制造方法还包括：通过退火处理使沟槽的上部角部的半导体层的一部分向沟槽的底部上移动，由此形成覆盖沟槽的底部的第2导电型的沟槽底部杂质区域的工序。