半导体器件的保护电路及包括该保护电路的半导体器件

    公开(公告)号:CN100511681C

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200480024221.7

    申请日:2004-08-27

    Inventor: 松野则昭

    CPC classification number: H01L23/576 G06F21/87 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 工厂检查时,利用信号产生器(1)对被布线成是最上层的金属层、以单笔画的布局结构完全覆盖除PAD以外的整个半导体器件的屏蔽线(2)提供0到1的信号跃变和1到0的信号跃变,直到通过屏蔽线(2)到达计数器(3)为止,用计数器(3)计数时钟脉冲(CLK),并将其作为参考信息存储到非易失性存储器(5)中。出厂后,在半导体器件启动时及动作的待机状态时,再利用信号产生器(1)对屏蔽线(2)供应0到1的信号跃变和1到0的信号跃变,到通过屏蔽线(2)到达计数器(3)为止,用计数器(3)计数半导体器件内的适当的时钟脉冲数,并利用比较器(4)将它和事先存储到非易失性存储器(5)中的参考信息进行比较,若不一致,则输出欺骗检测信号(S1)。根据检测到屏蔽线(2)被窜改,保护电路输出的欺骗检测信号(S1),进行模式切换而切换到防止对半导体器件的欺骗解析、窜改信息的动作模式。

    半导体晶片
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1320640C

    公开(公告)日:2007-06-06

    申请号:CN200410010478.9

    申请日:2004-11-18

    Inventor: 松野则昭

    Abstract: 当划片区域2切断的时候,切割检测器53发送检测信号A给转换电路51并电关断焊点50以及检查目标电路52,然后由检测器55监控从转换电路51到检查目标电路52的输入和输出通路54的固定电位。在同一时间,检查目标电路52被转变到一种模式,其中检测信号A拒绝了检查模式的命令接收。在获取了输入和输出通路54的固定电位的异常的情况下,检查目标电路52就转变进入该安全模式。

    数据载体系统及其数据的保存恢复方法

    公开(公告)号:CN1971758A

    公开(公告)日:2007-05-30

    申请号:CN200610146743.5

    申请日:2006-11-22

    CPC classification number: G11C11/22

    Abstract: 本发明提供一种数据载体系统及其数据的保存恢复方法。其中,数据载体系统包括:作为铁电体存储器的第1存储器;第2存储器;极化消除电路,按照所给出的命令进行第1存储器的极化消除;以及控制电路,进行对第1存储器和第2存储器的数据存取和对极化消除电路的动作控制。这里,控制电路,在接收到第1命令时,将存储在第1存储器的数据保存到第2存储器中,然后向极化消除电路发出极化消除命令;另一方面,在接收到第2命令时,将保存在第2存储器中的数据写回第1存储器。

    半导体器件的保护电路及包括该保护电路的半导体器件

    公开(公告)号:CN1839475A

    公开(公告)日:2006-09-27

    申请号:CN200480024221.7

    申请日:2004-08-27

    Inventor: 松野则昭

    CPC classification number: H01L23/576 G06F21/87 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 工厂检查时,利用信号产生器(1)对被布线成是最上层的金属层、以单笔画的布局结构完全覆盖除PAD以外的整个半导体器件的屏蔽线(2)提供0到1的信号跃变和1到0的信号跃变,直到通过屏蔽线(2)到达计数器(3)为止,用计数器(3)计数时钟脉冲(CLK),并将其作为参考信息存储到非易失性存储器(5)中。出厂后,在半导体器件启动时及动作的待机状态时,再利用信号产生器(1)对屏蔽线(2)供应0到1的信号跃变和1到0的信号跃变,到通过屏蔽线(2)到达计数器(3)为止,用计数器(3)计数半导体器件内的适当的时钟脉冲数,并利用比较器(4)将它和事先存储到非易失性存储器(5)中的参考信息进行比较,若不一致,则输出欺骗检测信号(S1)。根据检测到屏蔽线(2)被窜改,保护电路输出的欺骗检测信号(S1),进行模式切换而切换到防止对半导体器件的欺骗解析、窜改信息的动作模式。

    半导体器件的保护电路及包括该保护电路的半导体器件

    公开(公告)号:CN101330074B

    公开(公告)日:2010-09-01

    申请号:CN200810134167.1

    申请日:2004-08-27

    Inventor: 松野则昭

    CPC classification number: H01L23/576 G06F21/87 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 一种保护电路,包括:至少一个屏蔽线对,布置所述屏蔽线对来覆盖半导体器件上应该保护的区域,所述屏蔽线对中的一条屏蔽线和另一条屏蔽线具有相同的形状、相等的长度,且分别仅具有一条从起点到终点的路线;信号产生器,将某一电位提供给所述屏蔽线对中的一条屏蔽线和另一条屏蔽线的起点;以及检测器,用以将所述屏蔽线对中的一条屏蔽线的终点和另一条屏蔽线的终点之间的电位差和基准值进行比较,根据比较结果输出欺骗检测信号。防止对半导体器件的欺骗解析、窜改信息。

    恒压电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101430571A

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200810212655.X

    申请日:2008-08-27

    CPC classification number: G05F3/30 G11C5/147

    Abstract: 本发明公开了一种恒压电路。温度相反特性产生电路使输出电压(Vout)降低电压(VGS)的值,再作为电压(VA)向温度特性产生电路提供该降低后的电压。温度特性产生电路包括以电阻(R22)、(R23)相互之间的端子电压(VAP)及双极晶体管(T21)的发射极电压(VAM)作为输入、并输出控制信号(VC)的差动放大电路。当端子电压(VAP)、(VAM)相等时,电路工作稳定。工作稳定时的电压(VA)的温度特性和电压(VGS)的温度特性相反,因而两种特性互相抵消,因此没有温度依赖性的恒压(Vout)输出来。因此,能抑制着电路规模的增大,用能容易地进行低功耗设计的电路实现产生没有温度依赖性的恒压的恒压电路。

    半导体器件的保护电路及包括该保护电路的半导体器件

    公开(公告)号:CN101330074A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810134167.1

    申请日:2004-08-27

    Inventor: 松野则昭

    CPC classification number: H01L23/576 G06F21/87 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 一种保护电路,包括:至少一个屏蔽线对,布置所述屏蔽线对来覆盖半导体器件上应该保护的区域,所述屏蔽线对中的一条屏蔽线和另一条屏蔽线具有相同的形状、相等的长度,且分别仅具有一条从起点到终点的路线;信号产生器,将某一电位提供给所述屏蔽线对中的一条屏蔽线和另一条屏蔽线的起点;以及检测器,用以将所述屏蔽线对中的一条屏蔽线的终点和另一条屏蔽线的终点之间的电位差和基准值进行比较,根据比较结果输出欺骗检测信号。防止对半导体器件的欺骗解析、窜改信息。

    强电介质存储装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN101145391A

    公开(公告)日:2008-03-19

    申请号:CN200710152706.X

    申请日:2007-09-14

    CPC classification number: G11C11/22

    Abstract: 一种强电介质存储装置,用强电介质存储元件(1)来记忆数据,包括:温度传感器(2),检测该强电介质存储装置的温度;控制部(4),输出控制信号,该控制信号指定电压,该电压随着由温度传感器(2)检测的温度的降低而增加;以及电压发生部(3),发生由来自控制部(4)的控制信号指定的电压,并向强电介质存储元件(1)提供发生后的电压。据此,可以提供一种强电介质存储装置,通过采用较简单的结构,从而可以对出货后受到的热应力的影响进行恢复,即,为了保持所述数据对极化量的降低或压印恶化进行恢复。

    具有抗篡改性的半导体器件

    公开(公告)号:CN1822368A

    公开(公告)日:2006-08-23

    申请号:CN200610008260.9

    申请日:2006-02-16

    Inventor: 松野则昭

    CPC classification number: H01L23/576 H01L23/522 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件,对利用从背面进行的FIB加工等实施的不正当解析手段具有极高的抗篡改性。该半导体器件具有多层布线结构,使用上层的布线层配置即使被解析也不会造成麻烦的信号布线,使得其遮盖下层的布线层,重要的布线配置在下层的布线层。另外,遮盖扩散分离层地在最下层的金属布线层,以制造上允许的微细布线节距进行布线,为了通过从背面进行的FIB加工到达要解析的目标布线,就必须切断防御布线。还包括使某种信号、或者电压或电流流过防御布线,监视防御布线的电特性,在捕捉到由于对防御布线的剥离、切断、篡改而造成电特性和物理特性的变化时,清除半导体器件内的机密信息、或者将半导体器件转换为固定模式的装置。

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