公开(公告)号：CN1136222A

公开(公告)日：1996-11-20

申请号：CN96102504.2

申请日：1996-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  冈田英子 ,  矢野航作

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/10 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/77 ,  H01L21/822 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明中，首先在绝缘性基片上形成第1铝布线，在硅氧化膜上形成的开口部内形成由钨电极和含硅铝合金电极构成的基本单元。然后在硅氧化膜上形成与第1铝布线正交的多条线状的第2铝布线。在多条第1、第2铝布线的各交点配置基本单元，构成存储单元阵列。当大电流流过基本单元时，铝合金电极中的硅在界面附近析出，电阻值增大。反向的大电流流过时，硅扩散、阻值下降。通过用微小电流检测该电阻值的高低，读出数据。

公开(公告)号：CN1082249C

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN96102504.2

申请日：1996-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  冈田英子 ,  矢野航作

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/10 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/77 ,  H01L21/822 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明中，首先在绝缘性基片上形成第1铝布线，在硅氧化膜上形成的开口部内形成由钨电极和含硅铝合金电极构成的基本单元。然后在硅氧化膜上形成与第1铝布线正交的多条线状的第2铝布线。在多条第1、第2铝布线的各交点配置基本单元，构成存储单元阵列。当大电流流过基本单元时，铝合金电极中的硅在界面附近析出，电阻值增大。反向的大电流流过时，硅扩散、阻值下降。通过用微小电流检测该电阻值的高低，读出数据。