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公开(公告)号:CN103250253B
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201280004090.0
申请日:2012-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置,具备减小了构成电阻变化元件的下部电极和电阻变化层之间的寄生电阻的电阻变化元件。该非易失性半导体存储装置具备:基板(201);以及电阻变化元件(208),形成于基板(201)上;电阻变化元件(208)具有:下部电极层(202),形成于基板(201)上;电阻变化层(203),形成于下部电极层(202)上;以及上部电极层(204),形成于电阻变化层(203)上;下部电极层(202)至少包括:第1导电层(202a);以及第2导电层(202c),形成于第1导电层(202a)上,与电阻变化层(203)相接;在第1导电层(202a)的上表面形成有第1导电层(202a)被氧化而成的层、即氧化变质层(202b)。
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公开(公告)号:CN103999218A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201280044072.5
申请日:2012-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/124 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 非易失性存储元件(20)具备:第1电极(105);第2电极(107);电阻变化层(106),介于第1电极(105)与第2电极(107)之间,将与第1电极(105)连接的第1电阻变化层(1061)和与第2电极(107)连接的第2电阻变化层(1062)层叠而构成;以及侧壁保护层(108),具有氧阻挡性,将上述电阻变化层(106)的侧面覆盖;第1电阻变化层(1061)由第1金属氧化物(106a)和形成在第1金属氧化物的周围且氧不足度比第1金属氧化物(106a)小的第3金属氧化物(106c)构成,第2电阻变化层(1062)由氧不足度比第1金属氧化物(106a)小的第2金属氧化物(106b)构成。
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公开(公告)号:CN103250253A
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201280004090.0
申请日:2012-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置,具备减小了构成电阻变化元件的下部电极和电阻变化层之间的寄生电阻的电阻变化元件。该非易失性半导体存储装置具备:基板(201);以及电阻变化元件(208),形成于基板(201)上;电阻变化元件(208)具有:下部电极层(202),形成于基板(201)上;电阻变化层(203),形成于下部电极层(202)上;以及上部电极层(204),形成于电阻变化层(203)上;下部电极层(202)至少包括:第1导电层(202a);以及第2导电层(202c),形成于第1导电层(202a)上,与电阻变化层(203)相接;在第1导电层(202a)的上表面形成有第1导电层(202a)被氧化而成的层、即氧化变质层(202b)。
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