公开(公告)号：CN1244155C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN01821958.6

申请日：2001-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  伊东丰二 ,  今西贞之 ,  藤井英治

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，在布线层形成后无法使用高温氧退火的状态下，防止由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。在半导体衬底1上形成由下部电极8、由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜9及上部电极10构成的电容元件11。在以覆盖电容元件11的方式形成的保护绝缘膜12上形成有第1布线层14。以覆盖第1布线层14的方式形成有第1层间绝缘膜15。隔着以与电容元件11重叠的方式设置且防止氢扩散的阻挡膜16，在第1层间绝缘膜15上形成有第2层间绝缘膜17。在第2层间绝缘膜17上形成有第2布线层19。第1层间绝缘膜15中氢的含有率比第2层间绝缘膜17中氢的含有率低。

公开(公告)号：CN1486512A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN01821958.6

申请日：2001-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  伊东丰二 ,  今西贞之 ,  藤井英治

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，在布线层形成后无法使用高温氧退火的状态下，防止由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。在半导体衬底1上形成由下部电极8、由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜9及上部电极10构成的电容元件11。在以覆盖电容元件11的方式形成的保护绝缘膜12上形成有第1布线层14。以覆盖第1布线层14的方式形成有第1层间绝缘膜15。隔着以与电容元件11重叠的方式设置且防止氢扩散的阻挡膜16，在第1层间绝缘膜15上形成有第2层间绝缘膜17。在第2层间绝缘膜17上形成有第2布线层19。第1层间绝缘膜15中氢的含有率比第2层间绝缘膜17中氢的含有率低。