公开(公告)号：CN115274724A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210869446.2

申请日：2022-07-21

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 黄垒 ,  刘江辉

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/683 ,  G01J1/44

Abstract: 本发明的实施例公开了一种光敏元件的制备方法、光敏探测器和成像装置，涉及光敏元件的技术领域，解决了相关技术中光敏元件的制备方法的可靠性较差这一技术问题。光敏元件的制备方法包括在晶圆内形成光敏部，光敏部用于进行光电转换。在晶圆的一侧形成信号传输部，信号传输部与光敏部电连接，以传输光敏部转换得到的电信号。将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合。在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个电连接部，任一个电连接部与信号传输部电连接。对第一承载片进行解键合。本发明的实施例提供的光敏元件的制备方法用于制备光敏元件。

公开(公告)号：CN115064612A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210869424.6

申请日：2022-07-21

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 黄垒 ,  王荣 ,  郑山 ,  龙婧

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种光电探测器的制造方法。其包括提供衬底；衬底包括具有第一导电类型的衬底本体及位于衬底本体一侧的绝缘层；衬底本体设有朝向绝缘层的具有第一导电类型的第一注入区及具有第二导电类型的第二注入区，第一注入区的掺杂浓度及第二注入区的掺杂浓度均大于衬底本体的掺杂浓度；绝缘层上形成有暴露第一注入区的第一凹槽和暴露第二注入区的第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽及绝缘层背离衬底本体的表面形成第一金属层；在第一金属层的表面形成第二金属层；去除部分层叠的第一金属层和第二金属层，形成分别与第一注入区、第二注入区电性连接的第一金属连接线、第二金属连接线；在电极线背离衬底的一侧形成第一、二外连接键。

公开(公告)号：CN115101629A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210855331.8

申请日：2022-07-19

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 黄垒 ,  谭信辉 ,  祁春超 ,  王荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09

Abstract: 本申请提供一种光电探测器的制备方法。所述光电探测器的制备方法包括：提供衬底；衬底包括具有第一导电类型的衬底本体及位于衬底本体一侧的绝缘层；衬底本体设有朝向绝缘层的具有第一导电类型的第一注入区及具有第二导电类型的第二注入区，第一注入区的掺杂浓度及第二注入区的掺杂浓度均大于衬底本体的掺杂浓度；在绝缘层上形成暴露第一注入区的第一凹槽和暴露所述第二注入区的第二凹槽；在所述第一凹槽和/或所述第二凹槽的底部形成硅晶体膜层；在所述硅晶体膜层上形成金属膜层，采用快速热退火工艺使所述硅晶体膜层与所述金属膜层反应生成金属硅化物膜层；形成至少部分位于所述第一凹槽内的第一电极及至少部分位于所述第二凹槽内的第二电极。