一种光电探测器的制造方法

    公开(公告)号:CN115064612A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210869424.6

    申请日:2022-07-21

    Abstract: 本发明提供一种光电探测器的制造方法。其包括提供衬底;衬底包括具有第一导电类型的衬底本体及位于衬底本体一侧的绝缘层;衬底本体设有朝向绝缘层的具有第一导电类型的第一注入区及具有第二导电类型的第二注入区,第一注入区的掺杂浓度及第二注入区的掺杂浓度均大于衬底本体的掺杂浓度;绝缘层上形成有暴露第一注入区的第一凹槽和暴露第二注入区的第二凹槽;在第一凹槽和第二凹槽及绝缘层背离衬底本体的表面形成第一金属层;在第一金属层的表面形成第二金属层;去除部分层叠的第一金属层和第二金属层,形成分别与第一注入区、第二注入区电性连接的第一金属连接线、第二金属连接线;在电极线背离衬底的一侧形成第一、二外连接键。

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