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公开(公告)号：CN118191148A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410350238.0
申请日：2024-03-26
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于液相色谱的流通池以及流通池的装配方法。基于本申请，流通池主体可以包括硬质主体构件、以及内置在硬质主体构件中的光反射流通管，其中，硬质主体构件的两侧端面的端面凹槽可以具有导流流道，光反射流通管的端部开口可以与导流流道连通，并且，光纤主体和液流导管可以利用硬质法兰在硬质主体构件的端面凹槽内集中对接光反射流通管。对光反射流通管的端部开口的透光密封封堵、以及液流导管与光反射流通管的防漏对接密封都可以通过硬质法兰来实现，因而可以减少密封部件的数量；硬质法兰与端面凹槽的密封接触属于硬质材质之间的硬密封，因而可以利用硬质法兰封堵光反射流通管的端部开口可以具有比玻璃片更高的密封耐压能力。
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公开(公告)号：CN115020514A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210750988.8
申请日：2022-06-29
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/102 , H01L31/18 , G01N23/02 , G01N23/04
Abstract: 公开一种光电二极管及其制备方法、光电探测器和探测设备，涉及半导体技术领域，用于改善光电二极管的感光性能。该光电二极管包括半导体衬底、第一电极和第二电极。其中，半导体衬底包括：主体部，和间隔设置、且导电类型不同的第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部与主体部形成PN结；第一电极，覆盖至少部分所述第一掺杂部；第二电极，覆盖至少部分所述第二掺杂部，且至少第一电极为透明电极。本公开提供的光电二极管，至少第一电极为透明电极，无需在光敏区上方进行接触区开孔，改善了因刻蚀工艺而造成光电二极管的电阻大、暗电流大、膜层搭接不良等问题。
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公开(公告)号：CN217588958U
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202221658355.6
申请日：2022-06-29
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L27/146
Abstract: 本公开的实施例提供了一种光电二极管及其阵列、放射性探测器及其阵列及检测装置，光电二极管设置于半导体衬底内。光电二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极以及第二电极。第二掺杂区与半导体衬底形成PN结，第二掺杂区和第一掺杂区的导电类型不同。第一电极与第一掺杂区电连接。第二电极与第二掺杂区电连接，且第一电极和第二电极中，至少一个为金属氧化物电极。透明覆盖层覆盖第一电极和第二电极中的金属氧化物电极。如此，可减少了接触区域的刻蚀面貌对光电二极管阵列的影响，从而降低因刻蚀工艺所造成的光电二极管阵列中电阻大、膜层搭接不良等特性和工艺问题。
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公开(公告)号：CN216774886U
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202122783856.9
申请日：2021-11-11
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H04N5/341 , H01L27/146
Abstract: 本申请的实施例提供了一种图像传感器及电子设备，涉及传感器技术领域，可以解决现有的图像传感器可选的曝光模式受限的问题，该图像传感器包括M行*N列二维阵列分布的光敏图像单元，其中，同一行的光敏图像单元连接一条读取选行线和一条复位选行线，同一列的光敏图像单元连接一条列线；图像传感器的M行读取选行线耦合于读取行选电路；图像传感器的第一行复位选行线至第K行复位选行线耦合于第一复位行选电路，第K+1行复位选行线至第X行复位选行线耦合于第二复位行选电路，X小于等于M；图像传感器的N列列线耦合于信号处理芯片；读取行选电路、第一复位行选电路、第二复位行选电路以及信号处理芯片耦合于控制器。
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