公开(公告)号：CN115128519A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210285742.8

申请日：2022-03-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三 ,  坂胁彰

IPC: G01R33/038 ,  G01R33/06 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明涉及磁传感器。本发明的课题是提高利用了磁阻抗效应的磁传感器的灵敏度。本发明的解决手段为：磁传感器(1)具备非磁性的基板(10)、和设置于基板(10)上的感应元件(30)，所述感应元件(30)包含饱和磁化为300emu/cc以上且650emu/cc以下的、以Co为主成分的非晶合金的软磁体层(101)，并且，所述感应元件(30)具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场。

公开(公告)号：CN114690086A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111340593.2

申请日：2021-11-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三 ,  坂胁彰

IPC: G01R33/02

Abstract: 本发明涉及磁传感器。本发明的目的在于提高利用了磁阻抗效应的磁传感器的灵敏度。本发明的解决手段为：磁传感器(1)具备非磁性的基板、和设置于基板上的感应元件，所述感应元件包含初始磁导率为5000以上的非晶合金的软磁体层(101)，并且，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场。

公开(公告)号：CN1906665A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001568.4

申请日：2005-08-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泽弘 ,  松本俊 ,  远藤大三

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/65 ,  G11B5/64 ,  G11B5/73

Abstract: 一种磁记录介质包括依次堆叠在非磁性衬底上的方向调整层、非磁性衬层、非磁性中间层、磁性层和保护层，该非磁性衬底在其第一表面上提供有纹理并且用于磁盘。该非磁性衬层含有由Cr－Mn类合金形成的至少一层并且具有沿其圆周方向的易磁化轴的磁各项异性。磁记录和再现设备包括该磁记录介质和使得信息能够记录在该从记录介质上并且从中再现的磁头。

公开(公告)号：CN114729974A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080078406.5

申请日：2020-11-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三 ,  筱龙德

IPC: G01R33/02

Abstract: 磁传感器具备由具有单轴磁各向异性的软磁体构成并通过磁阻抗效应来感应磁场的感应层、和由被磁化的硬磁体构成并与感应层相对配置的磁铁层，所述磁传感器中，磁铁层在感应层中的与单轴磁各向异性的方向交叉的方向上施加直流磁偏压Hb，直流磁偏压Hb的值大于该感应层的各向异性磁场Hk的值。

公开(公告)号：CN114660514A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111376018.8

申请日：2021-11-19

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三 ,  富田浩幸

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明涉及磁传感器。本发明的课题是提高使用了通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件的磁传感器的灵敏度。本发明的解决手段为，磁传感器(200)具备：通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件(10)；和与感应元件(10)相对地设置的集束构件(20)，所述集束构件(20)由软磁体构成，并且使来自外部的磁力线集束于感应元件(10)。

公开(公告)号：CN114252818A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110974817.9

申请日：2021-08-24

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三 ,  坂胁彰

IPC: G01R33/06

Abstract: 本发明涉及磁传感器。本发明的课题是抑制利用了磁致阻抗效应的磁传感器的输出中的S/N的降低。本发明的磁传感器(1)具备感应元件(31)，所述感应元件(31)具有多个软磁体层(105)、和设置于多个软磁体层之间的非磁性非晶金属层(106)，夹持非磁性非晶金属层(106)而相对的软磁体层(105)是经反铁磁性耦合的，所述感应元件(31)通过磁致阻抗效应来感应磁场。

公开(公告)号：CN113906303A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202080041266.4

申请日：2020-11-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三 ,  筱龙德 ,  坂胁彰 ,  利根川翔 ,  渡边恭成

IPC: G01R33/06

Abstract: 磁传感器具备非磁性的基板和感应元件31，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，感应元件31具有多个软磁体层105a～105d、和由非磁体构成且层叠于多个软磁体层105a～105d之间的多个非磁体层106a～106c，夹着各个非磁体层106a～106c而相对的软磁体层105a～105d是经反铁磁性耦合的。

公开(公告)号：CN115715140A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202210226362.7

申请日：2022-03-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 利根川翔 ,  坂胁彰 ,  远藤大三 ,  长谷川浩太

IPC: H10N30/85 ,  H10N30/05 ,  H10N30/076 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17 ,  H03H3/02

Abstract: 提供结晶性高的层叠体、利用了该层叠体的谐振子、滤波器及该谐振子的制造方法。一种层叠体，具备基板(210)、配置于基板(210)之上且由包含金属元素的单晶构成的电极层(230)、形成于基板(210)与电极层(230)之间且使电极层(230)的晶体取向性提高的缓冲层(220)、和形成于电极层(230)之上且由压电体构成的压电层(240)，缓冲层(220)及压电层(240)由以ScAlN和AlN中的任一者的组成为主成分的单晶构成。

公开(公告)号：CN115708316A

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202210232957.3

申请日：2022-03-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 利根川翔 ,  坂胁彰 ,  远藤大三 ,  长谷川浩太

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/56 ,  H03H3/02

Abstract: 提供结晶性高的压电膜及具备该压电膜的谐振子、滤波器等。一种压电膜，是包含通过谐振来获取需要的频率的电波的压电体的压电膜，压电体，以ScAlN和AlN中的任一者的组成为主成分，密勒指数为(11‑20)的晶格面的X射线摇摆曲线的半值宽度为10°以下。

公开(公告)号：CN114761816A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080082416.6

申请日：2020-11-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三 ,  筱龙德 ,  坂胁彰 ,  利根川翔 ,  渡边恭成

IPC: G01R33/02 ,  H01L43/00 ,  H01L43/02

Abstract: 磁传感器具备：多个感应元件(31)，所述多个感应元件(31)具有：具有长边方向和短边方向的软磁体层(105)及导电性比软磁体层(105)高且在长边方向上贯穿软磁体层(105)的内部的导电体层，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；以及连接部(32)，所述连接部(32)与感应元件的导电体层连续地形成并将在短边方向上相邻的感应元件(31)串联连接。