热式流量测量装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101852631A

    公开(公告)日:2010-10-06

    申请号:CN201010118121.8

    申请日:2010-02-10

    CPC classification number: G01F1/6842

    Abstract: 本发明提供一种热式流量测定装置,其具有弯曲的副通路且厚度方向尺寸小。在分离壁两侧形成第一副通路部(10A)和第二副通路部(10B),在如下范围构成第三副通路部(10C)的直线通路部:与流动于该直线通路部的流体流动方向垂直的横截面,在与分离第一副通路部的层和第二副通路部的层的分离壁的壁面垂直的方向上相对于该分离壁跨两侧;连通第一副通路部和第三副通路部的第一连通通路部(10AC)描绘曲线而改变方向,由倾斜面连接由分离壁构成的第一副通路部的通路壁面和相对于分离壁位于第二副通路侧的第三副通路部的侧壁,在连通第二副通路部和第三副通路部的第二连通通路部(10BC)上具有贯通分离壁的贯通路(10C2)。

    热式流量测量装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101852631B

    公开(公告)日:2013-02-27

    申请号:CN201010118121.8

    申请日:2010-02-10

    CPC classification number: G01F1/6842

    Abstract: 本发明提供一种热式流量测定装置,其具有弯曲的副通路且厚度方向尺寸小。在分离壁两侧形成第一副通路部(10A)和第二副通路部(10B),在如下范围构成第三副通路部(10C)的直线通路部:与流动于该直线通路部的流体流动方向垂直的横截面,在与分离第一副通路部的层和第二副通路部的层的分离壁的壁面垂直的方向上相对于该分离壁跨两侧;连通第一副通路部和第三副通路部的第一连通通路部(10AC)描绘曲线而改变方向,由倾斜面连接由分离壁构成的第一副通路部的通路壁面和相对于分离壁位于第二副通路侧的第三副通路部的侧壁,在连通第二副通路部和第三副通路部的第二连通通路部(10BC)上具有贯通分离壁的贯通路(10C2)。

    传感器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105333913B

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201510757401.6

    申请日:2011-09-13

    Abstract: 本发明提供能够抑制每个传感器的性能偏差的技术。在本发明的传感器,具备:芯片搭载部;以及形成有检测部且搭载在上述芯片搭载部上的半导体芯片,在上述检测部露出的状态下,至少上述芯片搭载部的一部分被树脂覆盖,在包括上述检测部的任意截面中,在上述树脂与上述半导体芯片接触的第一区域,上述树脂的上表面比上述半导体芯片的上表面低,在比上述第一区域远离上述半导体芯片的第二区域的一部分,上述树脂的上表面的高度比上述半导体芯片的上表面高。

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