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公开(公告)号：CN119318209A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044923.4
申请日：2023-05-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种即便在设置有内侧罩的情况下亦可确认天线及其周围状态的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：壳体(2)，设置有第一开口部(2b)；真空罩(4)，以能够拆装的方式安装于第一开口部(2b)，闭塞该第一开口部(2b)；天线罩(5)，支撑于第一开口部(2b)的内部，且具有介电性；天线(8)，配设于至少由真空罩(4)及天线罩(5)包围而形成的天线收容空间(AK)中，用于产生电感耦合性的等离子体；视端口(4b)，设置于真空罩(4)且具有透光性；以及光学传感器(14)，接收透过了视端口(4b)的天线收容空间(AK)内的光。
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公开(公告)号：CN115279938A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180019740.8
申请日：2021-03-12
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明通过在真空容器的外部配置天线并缩短从靶材到被处理物的距离，从而可实现成膜速度或处理效率的提高，并且高效率地溅镀靶材。一种溅镀装置100，使用等离子体P来溅镀靶材T而在被处理物W进行成膜，且包括：真空容器1，经真空排气；天线5，设置在真空容器1的外部；介电质板6，设置在真空容器1的外壁1a的面向天线5的位置；以及靶材保持部3，在真空容器1内保持靶材T，靶材T设置在夹持介电质板6的位置中的一者或两者，其溅镀面Ta相对于介电质板6向与天线5相反的一侧倾斜延伸。
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公开(公告)号：CN119302037A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202280096674.9
申请日：2022-12-16
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505
Abstract: 等离子体处理装置(1)包括：壳体(2)，设置有第一开口部(2b)；真空罩(4)，以能够拆装的方式安装于第一开口部(2b)，且闭塞该第一开口部(2b)；天线罩(5)，支撑于第一开口部(2b)的内部，且具有介电性；以及天线(8)，配设于至少由真空罩(4)及天线罩(5)包围而形成的天线收容空间(AK)中，用于产生感应耦合性的等离子体。天线罩(5)形成有在真空罩(4)侧开口并且构成天线收容空间(AK)的一部分的罩开口部(5c)，且所述天线罩(5)能够自第一开口部(2b)卸下。
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公开(公告)号：CN119278666A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380043374.9
申请日：2023-05-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , C23C16/52
Abstract: 本发明实现一种能够简易地调整天线的高度的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：外侧罩(20)，以将设置于壳体(10)的第一开口部(12)闭塞的方式安装于壳体；内侧罩(30)，将处理室(11)与外侧罩之间分割；天线(40)，用于在处理室内产生等离子体；插通构件(45)，与天线链接；以及位置调整机构(60)，在安装有外侧罩的状态下使插通构件移位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120019719A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380071392.8
申请日：2023-11-29
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种可实时地掌握被实施等离子体处理的被处理物的状态的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：天线(8)；电源(9)，向天线(8)供给用于产生磁场的高频电流；拍摄部，对处理室的内部进行拍摄；以及控制部。电源(9)通过使高频电流的大小周期性地增减而间歇性地产生等离子体。控制部对拍摄部进行控制以获取与等离子体的熄灭同步的处理室的内部的图像作为第一图像。
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公开(公告)号：CN118575587A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202380017773.8
申请日：2023-01-26
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种能够适当地控制荷电粒子的动作的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括处理室(2)。在处理室(2)的内部包括：载台(3)，供作为被处理物的被处理基板(H1)设置；天线(4)，用于在处理室(2)的内部产生感应耦合性的等离子体；以及内部电极(8)，施加规定的电位。
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公开(公告)号：CN112425269A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047003.1
申请日：2019-07-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C14/54 , C23C16/455 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明实现一种等离子体处理装置，其可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度均匀。等离子体处理装置(1)包括多个设置于真空容器(10)内的等离子体生成用的天线(20)；设置有多个气体喷出口(30)的多个组群，所述多个气体喷出口(30)相对于多个天线(20)的各自的长边方向(D1)而大致垂直，且设置于在多个天线(20)相互排列的方向上延伸的线(L1)的附近；并且还包括气体流量控制部，其对从多个气体喷出口(30)的组群的每一个所喷出的气体的流量加以控制。
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公开(公告)号：CN119999336A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380070414.9
申请日：2023-11-29
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C14/40 , C23C16/509 , H01L21/31 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种即便在设置有内侧罩的情况下也可提高维护性的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：壳体(2)，设置有将处理室内部与外部连通的开口部(2b)；真空罩(4)，以能够拆装的方式安装于壳体(2)，且闭塞开口部(2b)；棒状的天线(8)，用于产生等离子体；以及天线罩(5)，在与真空罩(4)之间构成包围天线(8)的天线收容空间(AK)。天线罩(5)沿着天线(8)的长边方向被分割为多个。被覆罩(14)以覆盖天线罩(5)的分割部的方式设置。
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公开(公告)号：CN118510941A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202380016174.4
申请日：2023-01-26
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C16/509 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种能够对连续地供给的膜进行等离子体处理的小型的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括对被处理基板(H1)进行规定的等离子体处理的处理室(2)。处理室(2)的内部包括：滚筒(6)，导引连续地供给至处理室(2)的被处理基板(H1)；以及天线(8)，用于在处理室(2)的内部产生感应耦合性的等离子体。天线(8)配置于滚筒(6)的内部，等离子体处理是对滚筒(6)上的被处理基板(H1)进行。
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