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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1819172A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610001670.0
申请日：2006-01-20
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , B23K35/00
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/2908 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29369 , H01L2224/32245 , H01L2224/8184 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，包括：制备表面上有由第一金属制成的第一金属层的半导体元件、和由第二金属制成的金属衬底，金属衬底的表面具有由第四金属制成的第四金属层，半导体元件安装在其表面上；在第一和第四金属层间提供通过将平均直径为100nm或更小的由第三金属制成的细颗粒分散到有机溶剂中形成的金属纳米膏；对其间有金属纳米膏的半导体元件和金属衬底加热或加热并加压，以去除溶剂。第一、第三和第四金属的每种由金、银、铂、铜、镍、铬、铁、铅、钴中任一种、包含至少一种这些金属的合金、或这些金属或合金的混合物制成。通过该方法，能将半导体元件良好地接合到金属衬底上。
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公开(公告)号：CN101918168B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200980102396.8
申请日：2009-01-16
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: B23K20/00 , B23K20/227 , B32B15/01 , C23C30/00 , B23K103/18 , C22C18/04 , C22C23/02
CPC classification number: B23K11/115 , B23K11/16 , B23K11/3009 , B23K13/00 , B23K20/02 , B23K20/10 , B23K20/122 , B23K20/227 , B23K26/21 , B23K26/323 , B23K2103/15 , B23K2103/18 , B32B15/013 , C22C18/04 , C22C23/02 , Y10T428/12681 , Y10T428/12729 , Y10T428/12757
Abstract: 在将镁合金材料(1)(第一材料)与钢材(第二材料)接合时，使用镀敷了锌(金属C)的镀锌钢板(2)作为钢材，同时，使镁合金材料(1)中含有Al(金属D)，接合时产生Mg与Zn的共晶熔融，其与氧化皮膜(1f)和杂质等一起从接合界面排出，同时生成Al3Mg2之类的Al-Mg系金属间化合物和FeAl3之类的Fe-Al系金属间化合物，通过含有这些金属间化合物的化合物层(3)而将材料(1)和(2)二者的新生面彼此接合。
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公开(公告)号：CN101918168A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200980102396.8
申请日：2009-01-16
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: B23K20/00 , B23K20/227 , B32B15/01 , C23C30/00 , B23K103/18 , C22C18/04 , C22C23/02
CPC classification number: B23K11/115 , B23K11/16 , B23K11/3009 , B23K13/00 , B23K20/02 , B23K20/10 , B23K20/122 , B23K20/227 , B23K26/21 , B23K26/323 , B23K2103/15 , B23K2103/18 , B32B15/013 , C22C18/04 , C22C23/02 , Y10T428/12681 , Y10T428/12729 , Y10T428/12757
Abstract: 在将镁合金材料(1)(第一材料)与钢材(第二材料)接合时，使用镀敷了锌(金属C)的镀锌钢板(2)作为钢材，同时，使镁合金材料(1)中含有Al(金属D)，接合时产生Mg与Zn的共晶熔融，其与氧化皮膜(1f)和杂质等一起从接合界面排出，同时生成Al3Mg2之类的Al-Mg系金属间化合物和FeAl3之类的Fe-Al系金属间化合物，通过含有这些金属间化合物的化合物层(3)而将材料(1)和(2)二者的新生面彼此接合。
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公开(公告)号：CN103079744B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180042092.4
申请日：2011-08-30
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: B23K20/00 , B23K20/02 , B23K20/16 , B23K20/2336 , B23K35/002 , B23K35/282 , B23K2103/10 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , Y10T428/12708 , Y10T428/12729 , Y10T428/1275 , Y10T428/12764 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供不使用焊剂即可将由铝系金属形成的材料之间低温度、低加压、低应变地在大气中接合，可以将对母材、周边的热影响抑制为最小限度的低成本的接合方法和应用这样的接合方法而成的各种接合部件。在由铝系金属形成的两材料(1,1)之间，夹着至少包含Zn作为与Al发生共晶反应的元素的嵌入材料(2),在对两材料(1,1)相对加压的状态下加热至发生共晶反应的温度，在两材料(1,1)的接合界面生成由与母材中的Al的共晶反应得到的熔融物，将该熔融物与Al的氧化覆膜(1a)一起从接合界面排出，从而将两材料接合。
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公开(公告)号：CN103079744A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042092.4
申请日：2011-08-30
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: B23K20/00 , B23K20/02 , B23K20/16 , B23K20/2336 , B23K35/002 , B23K35/282 , B23K2103/10 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , Y10T428/12708 , Y10T428/12729 , Y10T428/1275 , Y10T428/12764 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供不使用焊剂即可将由铝系金属形成的材料之间低温度、低加压、低应变地在大气中接合，可以将对母材、周边的热影响抑制为最小限度的低成本的接合方法和应用这样的接合方法而成的各种接合部件。在由铝系金属形成的两材料(1,1)之间，夹着至少包含Zn作为与Al发生共晶反应的元素的嵌入材料(2),在对两材料(1,1)相对加压的状态下加热至发生共晶反应的温度，在两材料(1,1)的接合界面生成由与母材中的Al的共晶反应得到的熔融物，将该熔融物与Al的氧化覆膜(1a)一起从接合界面排出，从而将两材料接合。
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