公开(公告)号：CN103943734B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410136422.1

申请日：2009-09-08

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 藤友正人 ,  玉置宽人 ,  西岛慎二 ,  反田祐一郎 ,  三木伦英

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/97 ,  H01L25/167 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提供一种薄型且光取出效率高的光半导体装置。本发明的光半导体装置的制造方法包括：在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序；在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序；在第一及第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序；用由透光性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序；除去支承基板之后，将光半导体装置分片化的第五工序。另外，其特征在于，第一及第二导电构件为镀敷件。由此，能够得到薄型且光取出效率高的光半导体装置。

公开(公告)号：CN103943734A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410136422.1

申请日：2009-09-08

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 藤友正人 ,  玉置宽人 ,  西岛慎二 ,  反田祐一郎 ,  三木伦英

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/97 ,  H01L25/167 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提供一种薄型且光取出效率高的光半导体装置。本发明的光半导体装置的制造方法包括：在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序；在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序；在第一及第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序；用由透光性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序；除去支承基板之后，将光半导体装置分片化的第五工序。另外，其特征在于，第一及第二导电构件为镀敷件。由此，能够得到薄型且光取出效率高的光半导体装置。

公开(公告)号：CN101673796B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200910170535.2

申请日：2009-09-08

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 藤友正人 ,  玉置宽人 ,  西岛慎二 ,  反田祐一郎 ,  三木伦英

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/97 ,  H01L25/167 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提供一种薄型且光取出效率高的光半导体装置。本发明的光半导体装置的制造方法包括：在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序；在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序；在第一及第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序；用由透光性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序；除去支承基板之后，将光半导体装置分片化的第五工序。另外，其特征在于，第一及第二导电构件为镀敷件。由此，能够得到薄型且光取出效率高的光半导体装置。

公开(公告)号：CN101673796A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910170535.2

申请日：2009-09-08

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 藤友正人 ,  玉置宽人 ,  西岛慎二 ,  反田祐一郎 ,  三木伦英

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01L21/50 ,  H01L31/04 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/97 ,  H01L25/167 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提供一种薄型且光取出效率高的光半导体装置。本发明的光半导体装置的制造方法包括：在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序；在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序；在第一及第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序；用由透光性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序；除去支承基板之后，将光半导体装置分片化的第五工序。另外，其特征在于，第一及第二导电构件为镀敷件。由此，能够得到薄型且光取出效率高的光半导体装置。