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发明公开
一种自供电光学突触器件及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116615035A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310589235.8

申请日：2023-05-24

Applicant: 无锡学院

Inventor： 杨成东 , 宗文翔 , 夏开鹏 , 苏琳琳

IPC: H10K30/50 , G06N3/067 , H10K30/81 , H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种自供电光学突触器件及其制备方法，该自供电光学突触器件包括衬底，覆盖所述衬底的半导体层以及位于所述半导体层上相对设置的金电极和PEDOT：PSS电极。本发明的自供电光学突触器件具有功耗为零的特性；不仅如此，本发明还对PEDOT：PSS电极进行了改性，使改性后的自供电光学突触器件具有更好的双脉冲易化行为和非易失性存储行为。本发明提供的自供电光学突触器件的制备方法制作成本低，制作工艺简单，易于实施。

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