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公开(公告)号：CN118136712B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410130787.7
申请日：2024-01-30
Applicant: 无锡学院
IPC: H10F10/172 , H10F10/142 , H10F71/00
Abstract: 本发明提供了一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法。本光电探测器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底一侧依次外延生长AlxGa1‑xAs应力释放层、GaAs吸收层、AlyGa1‑yAs接触层和叉指电极；所述GaAs衬底另一侧依次外延生长绝缘层和Si薄膜层；所述Si薄膜层上设有凸起的Si脊型波导，所述Si脊型波导顶部形成有p+掺杂型Si区，靠近所述Si脊型波导两侧Si薄膜层表面形成有p++掺杂型Si区；所述p+掺杂型Si区上依次外延生长本征i‑Ge吸收层和n++掺杂型Ge层。本光电探测器无干扰地异质集成硅基锗PIN和GaAs光电探测器；本光电探测器波段宽、探测灵敏度高、体积小，适用广泛。
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公开(公告)号：CN116598881B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202310531779.9
申请日：2023-05-11
Applicant: 无锡学院
IPC: H01S5/02 , H01S5/024 , B23K26/53 , C23C28/04 , C23C14/48 , C23C14/06 , C23C14/58 , C30B25/18 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明属于半导体激光芯片散热技术领域，具体涉及一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法。本发明所述芯片散热结构通过将离子注入在外延片器件层前体注入损伤带，结合表面活化键合技术将器件层转移至高导热衬底材料上，再通过热退火和飞秒激光辐照相结合对键合界面的晶格缺陷进行修复制得。本发明制备得到的芯片散热结构具有散热效率高的优点，且制备工艺简单，适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN118136712A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410130787.7
申请日：2024-01-30
Applicant: 无锡学院
IPC: H01L31/076 , H01L31/0687 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法。本光电探测器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底一侧依次外延生长AlxGa1‑xAs应力释放层、GaAs吸收层、AlyGa1‑yAs接触层和叉指电极；所述GaAs衬底另一侧依次外延生长绝缘层和Si薄膜层；所述Si薄膜层上设有凸起的Si脊型波导，所述Si脊型波导顶部形成有p+掺杂型Si区，靠近所述Si脊型波导两侧Si薄膜层表面形成有p++掺杂型Si区；所述p+掺杂型Si区上依次外延生长本征i‑Ge吸收层和n++掺杂型Ge层。本光电探测器无干扰地异质集成硅基锗PIN和GaAs光电探测器；本光电探测器波段宽、探测灵敏度高、体积小，适用广泛。
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公开(公告)号：CN116598881A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310531779.9
申请日：2023-05-11
Applicant: 无锡学院
IPC: H01S5/02 , H01S5/024 , B23K26/53 , C23C28/04 , C23C14/48 , C23C14/06 , C23C14/58 , C30B25/18 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明属于半导体激光芯片散热技术领域，具体涉及一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法。本发明所述芯片散热结构通过将离子注入在外延片器件层前体注入损伤带，结合表面活化键合技术将器件层转移至高导热衬底材料上，再通过热退火和飞秒激光辐照相结合对键合界面的晶格缺陷进行修复制得。本发明制备得到的芯片散热结构具有散热效率高的优点，且制备工艺简单，适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN117594687A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311588308.8
申请日：2023-11-24
Applicant: 无锡学院
IPC: H01L31/101 , H01L25/18 , H01L31/109 , H01L31/105 , H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种双面多波段光电探测器及其制备方法，本双面多波段光电探测器包括硅基衬底层和硅半导体绝缘层，所述硅半导体绝缘层一侧设有相邻设置并用于探测紫外波段的第一探测功能层和用于探测短波红外波段的第二探测功能层；所述所述硅半导体绝缘层的另一侧与第一探测功能层和第二探测功能层相对位置设有用于探测可见光波段的第三探测功能层；所述第三探测功能层包括设置在所述硅半导体绝缘层上的硅基衬底层。本探测器将三个探测功能层集成并设置在同一硅半导体绝缘层的两侧，支持多波段探测，且功耗低、抗干扰能力强、工作效率高；并通过硅基衬底层支撑多个探测功能层，结构简单，体积小；可应用于数据中心、光互连、人工智能等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117405389A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311421076.7
申请日：2023-10-27
Applicant: 无锡学院
IPC: G01M13/003
Abstract: 本发明公开了一种EGR阀制造偏差的检测系统和检测方法，属于柴油机阀门的技术领域；其中，EGR阀制造偏差的检测系统包括混合气体管路，混合气体管路的一端连接有空气支路和可燃气体支路，混合气体管路的另一端连接第一支路和第二支路的首端；混合气体管路上安装有扰流混合腔、稳压气罐、稳压阀A、氧传感器A和单向阀；第一支路上安装有EGR阀和截止阀C，第二支路上安装有氧传感器B、截止阀B、增压器、催化氧化器；第一支路和第二支路的末端连接压力调节管路，压力调节管路上安装有稳压腔和稳压阀B。本发明提供一种EGR阀制造偏差的检测系统和检测方法，能够对EGR阀快速、低成本、大批量的检测，防止制造偏差件流入市场。
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公开(公告)号：CN218941655U
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202223361682.8
申请日：2022-12-14
Applicant: 无锡学院
IPC: H05K7/20
Abstract: 本实用新型提供了一种日用电器的散热装置，本散热装置依次设置有第一导热层、第二导热层、多孔结构复合层和第三导热层；所述第一导热层和第二导热层之间设有制冷半导体，所述制冷半导体的冷端与第一导热层连接，热端与第二导热层的一侧连接；第二导热层的另一侧与多孔结构复合层连接，所述多孔结构复合层上设有第一鳍状导热散热片，第一鳍状导热散热片延伸至第三导热层的一侧；第三导热层的另一侧固定设置有第二鳍状导热散热片和风扇。本散热装置将制冷半导体和风扇结合，利用热传导、热辐射、热对流进行散热，散热效率高；并引入多孔结构和鳍状导热散热片来消散和传导制冷半导体热端和风扇间的热量，防止热量累积；本散热装置产噪音低。
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公开(公告)号：CN219065807U
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202223395448.7
申请日：2022-12-12
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本实用新型提供了一种可实时监控和调节光功率的光学模块。本光学模块，包括热沉、激光光源、透镜、光纤和壳体，所述热沉固定在壳体的一端，所述激光光源安装在所述热沉上，所述激光光源与光纤相对设置，激光光源与光纤之间设置有所述透镜，所述激光光源发射的光线可通过透镜传输至光纤，所述激光光源和透镜之间还设有用于调节激光光源入射至透镜上的激光量的调节结构，调节结构靠近激光光源的一侧设置有激光探测器。本光学模块通过在激光光源和透镜之间设有带有激光探测器的调节结构，来直接对激光功率进行测定，并在不调整激光光源功率的前提下，移动调节结构来调节进入光纤的实际激光功率；本光学模块结构简单且监测数据更准确。
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公开(公告)号：CN222795342U
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202421329262.8
申请日：2024-06-12
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本实用新型公开了一种净水装置，包括外壳体和蓄水腔，所述蓄水腔设置在外壳体的内部，所述蓄水腔外侧依次设有过滤网层、多孔过滤层和阳离子树脂过滤层，所述阳离子树脂过滤层外部设有消毒腔，所述消毒腔内设有可将紫外线射入消毒腔的紫外线发生装置，所述阳离子树脂过滤层的外部设有用于固定所述阳离子树脂过滤层和遮蔽紫外线的出水装置。本净水装置通过将过滤后的水体经过消毒腔进行消毒时，由于在所述阳离子树脂过滤层的外部设有固定所述阳离子树脂过滤层和遮蔽紫外线的出水装置，因此可以避免消毒时，紫外线照射到阳离子树脂过滤层上使其老化；本净水装置结构简单，易于安装和检查净水装置工作情况，使用寿命长，适合推广使用。
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公开(公告)号：CN222790828U
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202420214847.9
申请日：2024-01-29
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本实用新型公开了一种内热式半自动焊锡枪，包括枪体，所述枪体一端开设有枪头，所述枪体内设有与枪头连通的腔体，所述枪体内部设有用于将液体锡挤压出枪头的推注系统；所述推注系统包括推送管和与其连通的推送针管，所述推送管向所述推送针管移动可使推送针管伸出至所述枪头外部；所述推送管内部活动连接有活塞；所述枪体内部还设与推送管连通且用于为推送管提供液态锡的加热系统。本实用新型提供的内热式半自动焊锡枪加热均在枪体内进行，推送针管在使用时伸出枪体，可减少锡焊过程造成的高温烫伤。本内热式半自动焊锡枪使用方便简单，焊锡精度高，且可有效防止加热部位长时间接触电子原件，烫坏原件。
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