公开(公告)号：CN118136712A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410130787.7

申请日：2024-01-30

Applicant: 无锡学院

Inventor： 黄瑞 ,  唐明志 ,  阚万誉 ,  吴凯 ,  徐昊 ,  赵东 ,  陶旭 ,  王青 ,  郭业才

IPC: H01L31/076 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法。本光电探测器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底一侧依次外延生长AlxGa1‑xAs应力释放层、GaAs吸收层、AlyGa1‑yAs接触层和叉指电极；所述GaAs衬底另一侧依次外延生长绝缘层和Si薄膜层；所述Si薄膜层上设有凸起的Si脊型波导，所述Si脊型波导顶部形成有p+掺杂型Si区，靠近所述Si脊型波导两侧Si薄膜层表面形成有p++掺杂型Si区；所述p+掺杂型Si区上依次外延生长本征i‑Ge吸收层和n++掺杂型Ge层。本光电探测器无干扰地异质集成硅基锗PIN和GaAs光电探测器；本光电探测器波段宽、探测灵敏度高、体积小，适用广泛。

公开(公告)号：CN118136712B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410130787.7

申请日：2024-01-30

Applicant: 无锡学院

Inventor： 黄瑞 ,  唐明志 ,  阚万誉 ,  吴凯 ,  徐昊 ,  赵东 ,  陶旭 ,  王青 ,  郭业才

IPC: H10F10/172 ,  H10F10/142 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明提供了一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法。本光电探测器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底一侧依次外延生长AlxGa1‑xAs应力释放层、GaAs吸收层、AlyGa1‑yAs接触层和叉指电极；所述GaAs衬底另一侧依次外延生长绝缘层和Si薄膜层；所述Si薄膜层上设有凸起的Si脊型波导，所述Si脊型波导顶部形成有p+掺杂型Si区，靠近所述Si脊型波导两侧Si薄膜层表面形成有p++掺杂型Si区；所述p+掺杂型Si区上依次外延生长本征i‑Ge吸收层和n++掺杂型Ge层。本光电探测器无干扰地异质集成硅基锗PIN和GaAs光电探测器；本光电探测器波段宽、探测灵敏度高、体积小，适用广泛。

公开(公告)号：CN117594687A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311588308.8

申请日：2023-11-24

Applicant: 无锡学院

Inventor： 黄瑞 ,  唐明志 ,  阚万誉 ,  吴凯 ,  徐昊

IPC: H01L31/101 ,  H01L25/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/105 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种双面多波段光电探测器及其制备方法，本双面多波段光电探测器包括硅基衬底层和硅半导体绝缘层，所述硅半导体绝缘层一侧设有相邻设置并用于探测紫外波段的第一探测功能层和用于探测短波红外波段的第二探测功能层；所述所述硅半导体绝缘层的另一侧与第一探测功能层和第二探测功能层相对位置设有用于探测可见光波段的第三探测功能层；所述第三探测功能层包括设置在所述硅半导体绝缘层上的硅基衬底层。本探测器将三个探测功能层集成并设置在同一硅半导体绝缘层的两侧，支持多波段探测，且功耗低、抗干扰能力强、工作效率高；并通过硅基衬底层支撑多个探测功能层，结构简单，体积小；可应用于数据中心、光互连、人工智能等领域。

公开(公告)号：CN117405389A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311421076.7

申请日：2023-10-27

Applicant: 无锡学院

Inventor： 黄瑞 ,  唐明志 ,  阚万誉 ,  徐昊 ,  吴凯 ,  赵东 ,  武丽 ,  王青 ,  郭业才

IPC: G01M13/003

Abstract: 本发明公开了一种EGR阀制造偏差的检测系统和检测方法，属于柴油机阀门的技术领域；其中，EGR阀制造偏差的检测系统包括混合气体管路，混合气体管路的一端连接有空气支路和可燃气体支路，混合气体管路的另一端连接第一支路和第二支路的首端；混合气体管路上安装有扰流混合腔、稳压气罐、稳压阀A、氧传感器A和单向阀；第一支路上安装有EGR阀和截止阀C，第二支路上安装有氧传感器B、截止阀B、增压器、催化氧化器；第一支路和第二支路的末端连接压力调节管路，压力调节管路上安装有稳压腔和稳压阀B。本发明提供一种EGR阀制造偏差的检测系统和检测方法，能够对EGR阀快速、低成本、大批量的检测，防止制造偏差件流入市场。

公开(公告)号：CN222795342U

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202421329262.8

申请日：2024-06-12

Applicant: 无锡学院

Inventor： 唐明志 ,  黄瑞 ,  徐昊 ,  阚万誉 ,  吴凯

IPC: C02F9/00 ,  C02F1/00 ,  C02F1/32 ,  C02F1/42

Abstract: 本实用新型公开了一种净水装置，包括外壳体和蓄水腔，所述蓄水腔设置在外壳体的内部，所述蓄水腔外侧依次设有过滤网层、多孔过滤层和阳离子树脂过滤层，所述阳离子树脂过滤层外部设有消毒腔，所述消毒腔内设有可将紫外线射入消毒腔的紫外线发生装置，所述阳离子树脂过滤层的外部设有用于固定所述阳离子树脂过滤层和遮蔽紫外线的出水装置。本净水装置通过将过滤后的水体经过消毒腔进行消毒时，由于在所述阳离子树脂过滤层的外部设有固定所述阳离子树脂过滤层和遮蔽紫外线的出水装置，因此可以避免消毒时，紫外线照射到阳离子树脂过滤层上使其老化；本净水装置结构简单，易于安装和检查净水装置工作情况，使用寿命长，适合推广使用。