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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107867671A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710203509.X
申请日：2017-03-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了用于制造具有黑色表面的微电子器件的工艺和微电子器件。一种用于制造黑硅表面的工艺，该工艺包括多个粗糙化循环，每个粗糙化循环包括：在硅体的区域上沉积非平面聚合物层；以及以非单向方式对该聚合物层和该硅体的该区域进行等离子体蚀刻，并以非均匀方式去除该硅体的该区域的不大于10nm的表面部分。
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公开(公告)号：CN107867671B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201710203509.X
申请日：2017-03-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了用于制造具有黑色表面的微电子器件的工艺和微电子器件。一种用于制造黑硅表面的工艺，该工艺包括多个粗糙化循环，每个粗糙化循环包括：在硅体的区域上沉积非平面聚合物层；以及以非单向方式对该聚合物层和该硅体的该区域进行等离子体蚀刻，并以非均匀方式去除该硅体的该区域的不大于10nm的表面部分。
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公开(公告)号：CN107539941B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
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公开(公告)号：CN107539941A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
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公开(公告)号：CN206635022U
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201621483563.1
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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