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公开(公告)号：CN107867671A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710203509.X
申请日：2017-03-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了用于制造具有黑色表面的微电子器件的工艺和微电子器件。一种用于制造黑硅表面的工艺，该工艺包括多个粗糙化循环，每个粗糙化循环包括：在硅体的区域上沉积非平面聚合物层；以及以非单向方式对该聚合物层和该硅体的该区域进行等离子体蚀刻，并以非均匀方式去除该硅体的该区域的不大于10nm的表面部分。
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公开(公告)号：CN107867671B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201710203509.X
申请日：2017-03-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了用于制造具有黑色表面的微电子器件的工艺和微电子器件。一种用于制造黑硅表面的工艺，该工艺包括多个粗糙化循环，每个粗糙化循环包括：在硅体的区域上沉积非平面聚合物层；以及以非单向方式对该聚合物层和该硅体的该区域进行等离子体蚀刻，并以非均匀方式去除该硅体的该区域的不大于10nm的表面部分。
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