公开(公告)号：CN117471844A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310918875.9

申请日：2023-07-25

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 洪朱憙 ,  朴铁均 ,  崔文洙 ,  金东会

IPC: G03F1/48

Abstract: 护膜具有允许透射EUV曝光光的护膜部分。所述护膜部分包括用于辐射由EUV曝光光的辐照产生的热的热辐射层。所述热辐射层包括金属及硅，且所述热辐射层的金属含量大于硅含量。此确保了90％或更大的高透射率，同时改进了所述护膜部分的热辐射性能，使得其可应用于600W或更大的EUV曝光光功率。

公开(公告)号：CN108572511A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810182229.X

申请日：2018-03-06

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  李昌焄 ,  洪朱憙 ,  朴铁均

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/22 ,  G03F1/80 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明公开了极紫外(EUV)光刻用防护膜及其制造方法，该防护膜的EUV曝光光线的透过率优异，且具有优异的机械强度。该防护膜包括支撑层图案；形成在所述支撑层图案上的埋入式氧化物层图案；以及由所述埋入式氧化物层图案支撑的防护膜层。该防护膜还可以包括用于增强防护膜层的机械强度的增强层，用于额外补充增强层的机械强度的辅助层以及用于使防护膜层散热的散热层。

公开(公告)号：CN109765752B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201810511606.X

申请日：2018-05-25

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  李昌焄 ,  洪朱憙 ,  朴铁均

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/22 ,  G03F1/80 ,  G03F1/76 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明公开了一种极紫外(EUV)光刻用防护膜。该防护膜可以包括：支撑层图案，其通过蚀刻支撑层而形成；防护膜层，其形成在所述支撑层图案上；和蚀刻停止层图案，其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间，并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停止层进行蚀刻而形成。因此，本发明提供了一种EUV光掩模用防护膜，其在具有最小厚度的同时保持了高的EUV曝光光线透过率，并且机械强度和热特性优异。

公开(公告)号：CN108572511B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201810182229.X

申请日：2018-03-06

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  李昌焄 ,  洪朱憙 ,  朴铁均

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/22 ,  G03F1/80 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明公开了极紫外(EUV)光刻用防护膜及其制造方法，该防护膜的EUV曝光光线的透过率优异，且具有优异的机械强度。该防护膜包括支撑层图案；形成在所述支撑层图案上的埋入式氧化物层图案；以及由所述埋入式氧化物层图案支撑的防护膜层。该防护膜还可以包括用于增强防护膜层的机械强度的增强层，用于额外补充增强层的机械强度的辅助层以及用于使防护膜层散热的散热层。

公开(公告)号：CN109765752A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201810511606.X

申请日：2018-05-25

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  李昌焄 ,  洪朱憙 ,  朴铁均

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/22 ,  G03F1/80 ,  G03F1/76 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明公开了一种极紫外(EUV)光刻用防护膜。该防护膜可以包括：支撑层图案，其通过蚀刻支撑层而形成；防护膜层，其形成在所述支撑层图案上；和蚀刻停止层图案，其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间，并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停止层进行蚀刻而形成。因此，本发明提供了一种EUV光掩模用防护膜，其在具有最小厚度的同时保持了高的EUV曝光光线透过率，并且机械强度和热特性优异。