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公开(公告)号：CN117471844A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310918875.9
申请日：2023-07-25
Applicant: 思而施技术株式会社
Inventor： 洪朱憙 , 朴铁均 , 崔文洙 , 金东会
IPC: G03F1/48
Abstract: 护膜具有允许透射EUV曝光光的护膜部分。所述护膜部分包括用于辐射由EUV曝光光的辐照产生的热的热辐射层。所述热辐射层包括金属及硅，且所述热辐射层的金属含量大于硅含量。此确保了90％或更大的高透射率，同时改进了所述护膜部分的热辐射性能，使得其可应用于600W或更大的EUV曝光光功率。
