公开(公告)号：CN107203091A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710066943.8

申请日：2017-02-07

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  徐成旼 ,  金世民

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/26

CPC classification number: G03F1/0046 ,  G03F1/26

Abstract: 公开一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜形成为至少两个或更多层的多层膜或者连续膜，所述相移膜的膜由可以相对于一种蚀刻剂进行蚀刻并且成分彼此不同的材料组成，而且成分不同的所述膜中的每个堆叠一次或多次。因此，有可能减少所述相移膜的厚度，并且使边缘处的截面具有陡峭坡度，以使得在所述相移膜被图案化时相移膜图案可以具有清晰边界，从而保证所述相移膜图案的透射率和相移度的均匀性。另外，有可能改进所述相移膜图案和印刷图案的精度。

公开(公告)号：CN108957941B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201810477224.X

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

Abstract: 根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。

公开(公告)号：CN107203091B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201710066943.8

申请日：2017-02-07

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  徐成旼 ,  金世民

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/26

Abstract: 公开一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜形成为至少两个或更多层的多层膜或者连续膜，所述相移膜的膜由可以相对于一种蚀刻剂进行蚀刻并且成分彼此不同的材料组成，而且成分不同的所述膜中的每个堆叠一次或多次。因此，有可能减少所述相移膜的厚度，并且使边缘处的截面具有陡峭坡度，以使得在所述相移膜被图案化时相移膜图案可以具有清晰边界，从而保证所述相移膜图案的透射率和相移度的均匀性。另外，有可能改进所述相移膜图案和印刷图案的精度。

公开(公告)号：CN110456608A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201810513173.1

申请日：2018-05-25

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  金东建 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/80

Abstract: 根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。

公开(公告)号：CN110456608B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201810513173.1

申请日：2018-05-25

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  金东建 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/80

Abstract: 根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。

公开(公告)号：CN108957941A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810477224.X

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

CPC classification number: G03F1/26

Abstract: 根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。

公开(公告)号：CN112015047A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010401171.0

申请日：2020-05-13

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协

IPC: G03F1/50

Abstract: 本发明提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含透明衬底、相移膜以及光遮蔽膜。相移膜例如具有30％到100％的透射率，且在这种情况下，光遮蔽膜具有40纳米到70纳米的厚度和30原子％到80原子％铬、10原子％到50原子％氮、0原子％到35原子％氧以及0原子％到25原子％碳的组成比。堆叠有光遮蔽膜和相移膜的结构具有2.5到3.5的光学密度。因此，当在光掩模的制造工艺中对光遮蔽膜进行蚀刻时，最小化临界尺寸偏差。

公开(公告)号：CN108957942A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810479390.3

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  金昌俊 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F1/60 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明公开了一种相移空白掩膜和相移光掩膜，其包括位于透明衬底上的由硅(Si)或硅(Si)化合物制成并具有高透射率特性的相移膜。在根据本公开的相移空白掩膜中，相移膜具有50％以上的高透射率，由此获得小于或等于32nm、优选小于或等于14nm、更优选小于或等于10nm的半导体器件(例如DRAM、闪存、逻辑器件)用微图案。