公开(公告)号：CN114200769A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202011322130.9

申请日：2020-11-23

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 徐暻原 ,  公拮寓 ,  梁澈圭

IPC: G03F1/38

Abstract: 一种具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模。空白掩模包含附接到衬底的背侧的导电层，且导电层包含依序堆叠在衬底的背侧上的第一层、第二层以及第三层。第一层和第三层由含有铬(Cr)和氧(O)的材料制成，且第二层由不含有氧(O)但含有铬(Cr)的材料制成。提供具有导电层的空白掩模，导电层具有低薄层电阻、对衬底的高粘着力以及施加到衬底的低应力的特性。

公开(公告)号：CN108957942A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810479390.3

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  金昌俊 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F1/60 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明公开了一种相移空白掩膜和相移光掩膜，其包括位于透明衬底上的由硅(Si)或硅(Si)化合物制成并具有高透射率特性的相移膜。在根据本公开的相移空白掩膜中，相移膜具有50％以上的高透射率，由此获得小于或等于32nm、优选小于或等于14nm、更优选小于或等于10nm的半导体器件(例如DRAM、闪存、逻辑器件)用微图案。

公开(公告)号：CN113227898B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201980085968.X

申请日：2019-12-20

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/38

Abstract: 一种空白罩幕以及光罩，所述空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(criticaldimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。

公开(公告)号：CN108957941B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201810477224.X

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

Abstract: 根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。

公开(公告)号：CN112782931B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202011221137.1

申请日：2020-11-05

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  公拮寓 ,  徐暻原

IPC: G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。

公开(公告)号：CN114200771A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202011318624.X

申请日：2020-11-23

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 梁澈圭 ,  公拮寓

IPC: G03F1/52 ,  G03F1/38

Abstract: 一种针对极紫外线的反射型空白掩模、其制造方法及光掩模。空白掩模包含衬底、堆叠于衬底上的反射膜以及堆叠于反射膜上的吸收膜。反射膜包含至少一个Mo/Si层和至少一个Ru/Si层，至少一个Mo/Si层包含Mo层和Si层，至少一个Ru/Si层包含Ru层和Si层。形成反射膜的相应层之间的相互扩散在具有反射膜的针对极紫外线的空白掩模中受到抑制。因此，改良空白掩模的反射率，且防止反射率由于制造之后的使用而减小，由此延长光掩模的寿命。

公开(公告)号：CN113227898A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085968.X

申请日：2019-12-20

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/38

Abstract: 一种空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(critical dimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。

公开(公告)号：CN112782931A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011221137.1

申请日：2020-11-05

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  公拮寓 ,  徐暻原

IPC: G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。

公开(公告)号：CN108957941A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810477224.X

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

CPC classification number: G03F1/26

Abstract: 根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。