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公开(公告)号：CN103597580A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280019802.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/0236 , C23C16/301 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105925953A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610312064.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: C23C16/0236 , C23C16/301 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
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公开(公告)号：CN105925953B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610312064.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
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公开(公告)号：CN103597580B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280019802.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/0236 , C23C16/301 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
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公开(公告)号：CN104205320B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380016403.9
申请日：2013-03-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: B05C13/00 , C30B23/02 , C30B35/00 , H01L21/67115 , H01L21/68735
Abstract: 在此提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种设备包括处理配件，所述处理配件包括：第一环，在基板的周边边缘附近支撑所述基板；第二环，设置在所述第一环周围；和路径，形成在所述第一环与所述第二环之间，使所述第一环得以对所述第二环旋转，其中所述路径实质上防止光在第一空间与第二空间之间行进，所述第一空间设置在所述第一环与所述第二环下方，而所述第二空间设置在所述第一环与所述第二环上方。
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公开(公告)号：CN104205320A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380016403.9
申请日：2013-03-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: B05C13/00 , C30B23/02 , C30B35/00 , H01L21/67115 , H01L21/68735
Abstract: 在此提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种设备包括处理配件，所述处理配件包括：第一环，在基板的周边边缘附近支撑所述基板；第二环，设置在所述第一环周围；和路径，形成在所述第一环与所述第二环之间，使所述第一环得以对所述第二环旋转，其中所述路径实质上防止光在第一空间与第二空间之间行进，所述第一空间设置在所述第一环与所述第二环下方，而所述第二空间设置在所述第一环与所述第二环上方。
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