公开(公告)号：CN118476015A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280085939.5

申请日：2022-12-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 凯文·卡舍菲 ,  乔尔·明斯特·休斯顿 ,  迈克尔·李·麦克斯维尼 ,  卡门·莱尔·塞万提斯 ,  金龙珍 ,  德鲁·威廉·菲利普 ,  马克·约瑟夫·萨利

IPC: H01L21/67 ,  B05D1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 本文提供用于自组装单层(SAM)沉积的方法及设备。在一些实施方式中，用于自组装单层(SAM)沉积的设备包括：腔室，围住处理容积；基板支撑件，设置在腔室中且被配置为支撑处理容积中的基板；气体分配系统，耦接至腔室且被配置为将处理气体分配到处理容积中；第一SAM前驱物源，流体地耦接至气体分配系统以提供第一SAM前驱物作为处理气体的一部分；及第二SAM前驱物源，流体地耦接至气体分配系统以提供第二SAM前驱物作为处理气体的一部分，第二SAM前驱物不同于第一SAM前驱物，其中第一与第二SAM前驱物源可被独立地控制以控制处理气体中第一与第二SAM前驱物关于彼此的相对百分比。