公开(公告)号：CN1061299A

公开(公告)日：1992-05-20

申请号：CN91106523.7

申请日：1991-08-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘宜华 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  张连生

IPC: H01F41/20 ,  H01F10/10

Abstract: 一种钴铁镍铌硅硼非晶薄膜的制备处理方法，属于高导磁非晶薄膜制备领域。该薄膜除材料成分有别于其他非晶薄膜外，其制备态非晶薄膜又经综合退火热处理工艺，故该薄膜具有很高的饱和磁化强度(可达9000高斯)和高导磁率(10MHz达4300)，且高频特性好，耐腐蚀性好。

公开(公告)号：CN1021495C

公开(公告)日：1993-06-30

申请号：CN91106523.7

申请日：1991-08-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘宜华 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  张连生

IPC: H01F41/22 ,  H01F10/16

Abstract: 一种钴铁镍铌硅硼非晶薄膜的制备处理方法，属于高导磁非晶薄膜制备领域。该薄膜除材料成分有别于其他非晶薄膜外，其制备态非晶薄膜又经综合退火热处理工艺，故该薄膜具有很高的饱和磁化强度(可达9000高斯)和高导磁率(10MHz达4300)，且高频特性好，耐腐蚀性好。