公开(公告)号：CN118366985A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311789957.4

申请日：2023-12-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  加藤由晴 ,  小田优喜

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其抑制阈值电压等特性的波动。所述半导体装置具备：多个沟槽部；一个以上的台面部，其被两个沟槽部夹持；上表面电极，其不包含熔点比半导体基板的材料的熔点高的金属；以及阻挡金属，其包含熔点比半导体基板的材料的熔点高的金属，所述半导体装置具备：第一区域，其在沟槽部与上表面电极之间未设置阻挡金属，并且在与未设置阻挡金属的沟槽部相接的台面部与上表面电极之间设置有阻挡金属；以及第二区域，其在沟槽部与上表面电极之间设置有阻挡金属。

公开(公告)号：CN117913137A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311068124.9

申请日：2023-08-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 各川敦史 ,  三塚要 ,  小田优喜 ,  白川彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有：晶体管部；二极管部；第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的集电区，其设置在所述半导体基板的背面；第一导电型的阴极区，其设置在所述半导体基板的所述背面，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；多个沟槽部，其设置在所述半导体基板的正面；以及寿命控制部，其设置在所述半导体基板，并包含寿命抑制剂，所述寿命控制部具有：主区，其设置在所述二极管部；以及衰减区，其从所述主区起沿着与所述半导体基板的所述正面平行的方向延伸而设置，并且衰减区的寿命抑制剂浓度比所述主区的寿命抑制剂浓度衰减。

公开(公告)号：CN118056280A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202380013797.6

申请日：2023-04-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤由晴 ,  三塚要 ,  白川彻 ,  小田优喜

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具有：半导体基板，其具有上表面和下表面，并具有第一导电型的漂移区；以及第一导电型的缓冲区，其设置于所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间，且第一导电型的缓冲区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度，所述缓冲区具有：第一复合中心密度峰；以及第二复合中心密度峰，其配置在比所述第一复合中心密度峰更靠所述半导体基板的所述上表面侧的位置，所述第二复合中心密度峰在深度方向上的积分值大于所述第一复合中心密度峰在深度方向上的积分值。